[實用新型]一種限流真空中心圈有效
| 申請號: | 201720907425.X | 申請日: | 2017-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN207134331U | 公開(公告)日: | 2018-03-23 |
| 發明(設計)人: | 袁鵬華;李炯;劉東升;朱駿;張旭升 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 限流 真空 中心 | ||
1.一種限流真空中心圈,其特征在于:包括外圈(1)、O型環(2)、與所述O型環(2)適配的圓環片狀內圈(3)、與所述O型環(2)通過兩端支持桿(41)連接且位于所述內圈(3)同一水平面的中間轉動閥片(4)、位于所述中間轉動閥片(4)上方的半圓弧形帶氣流縫的氣流限流片(5)和與所述氣流限流片(5)上表面設置的桿尾指向圓心的限位桿(51);所述轉動閥片(4)為半徑與所述內圈(3)內徑一致的左半圓片(42)和半徑小于所述內圈(3)內徑而大于所述氣流限流片(5)內圓弧半徑且重量重于所述左半圓片(42)的右半圓片(43)一體成型而成;所述右半圓片(43)與所述氣流限流片(5)處于內圈(3)相同半圓側。
2.根據權利要求1所述的限流真空中心圈,其特征在于:所述內圈(3)對稱兩側設比所述支持桿桿體稍大的凹槽(31)。
3.根據權利要求1所述的限流真空中心圈,其特征在于:所述轉動閥片(4)的左半圓片(42)和右半圓片(43)的相交直徑線與氣流限流片(5)的半圓直徑線位于同一垂直線。
4.根據權利要求1所述的限流真空中心圈,其特征在于:所述轉動閥片(4)的右半圓片(43)厚度比左半圓片(42)厚。
5.根據權利要求1所述的限流真空中心圈,其特征在于:所述轉動閥片(4)的右半圓片(43)底部設半圓形加厚片。
6.根據權利要求1所述的限流真空中心圈,其特征在于:所述氣流縫方向為指向所述內圈(3)圓心處方向。
7.根據權利要求6所述的限流真空中心圈,其特征在于:所述氣流縫延伸到所述氣流限流片(5)的內圓弧側。
8.根據權利要求1所述的限流真空中心圈,其特征在于:所述氣流限流片(5)上設凹孔(52),所述凹孔(52)為盲孔或通孔。
9.根據權利要求8所述的限流真空中心圈,其特征在于:所述限位桿(51)底面設與所述凹孔適配的突起部(53)。
10.根據權利要求1所述的限流真空中心圈,其特征在于:所述氣流限流片(5)與所述限位桿(51)螺紋連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力微電子有限公司,未經上海華力微電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201720907425.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





