[實用新型]一種基于不同材質電阻的高精度基準電壓源有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720907078.0 | 申請日: | 2017-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN207051761U | 公開(公告)日: | 2018-02-27 |
| 發(fā)明(設計)人: | 徐衛(wèi)林;劉俊昕;孫曉菲;岳宏衛(wèi);李海鷗;段吉海 | 申請(專利權)人: | 桂林電子科技大學 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 桂林市持衡專利商標事務所有限公司45107 | 代理人: | 陳躍琳 |
| 地址: | 541004 廣西*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 不同 材質 電阻 高精度 基準 電壓 | ||
技術領域
本實用新型涉及集成電路技術領域,具體涉及一種基于不同材質電阻的高精度基準電壓源。
背景技術
電壓基準源是模擬集成電路和數模混合電路(如A/D及D/A轉換器、集成穩(wěn)壓器、低溫漂放大器和溫度傳感器等)不可缺少的重要單元電路之一,用于產生具有高精度、高穩(wěn)定性,不隨環(huán)境溫度、電源電壓、制作工藝、噪聲和其它因素變化而變化的電壓,為其他電路提供一個參考電壓,因此,其參數直接影響著整個系統的性能。
提高基準電壓源的性能和集成度一直是該領域的研究的熱點。然而傳統帶隙基準電壓源采用同一材質型電阻、雙極型三級管與運算放大器等產生基準電壓,通常精度不夠高,溫漂系數不夠好,功耗較大,電源電壓抑制比較差,芯片面積過大。
實用新型內容
本實用新型所要解決的是傳統基準電壓源電路的精度較差的問題,提供一種基于不同材質電阻的高精度基準電壓源。
為解決上述問題,本實用新型是通過以下技術方案實現的:
一種基于不同材質電阻的高精度基準電壓源,由并聯于電源VDD與地之間的啟動電路、PTAT電流產生電路、CTAT電流產生電路和基準電壓產生電路組成;啟動電路,用于在電源上電時提供啟動電流,使基準電壓源擺脫簡并偏置點;PTAT電流產生電路,利用共源共柵電流鏡提高電源電壓抑制比和電壓調整率,產生具有正溫度系數電流;CTAT電流產生電路,利用共源共柵電流鏡提高電源電壓抑制比和電壓調整率,產生具有負溫度系數電流;基準電壓產生電路,用于產生低溫漂的基準電壓,采用共源共柵電流鏡,從PTAT電流產生電路和CTAT電流產生電路中復制電流并進行疊加求和,產生零溫漂基準電流,基準電壓產生電路輸出電壓即為該基準電壓源輸出電壓Vref。
上述PTAT電流產生電路由MOS管M12-M19和電阻R0組成;MOS管M12和MOS管M13的源極與電源VDD連接;MOS管M18的源極直接與地GND連接;MOS管M19的源極經電阻R0與地GND連接;MOS管M12的漏極與MOS管M14的源極連接;MOS管M14的漏極與MOS管M16的漏極連接;MOS管M16的源極與MOS管M18的漏極連接;MOS管M13的漏極與MOS管M15的源極連接;MOS管M15的漏極與MOS管M17的漏極連接;MOS管M17的源極與MOS管M19的漏極連接;MOS管M13的柵極與漏極共接后,與MOS管M12的柵極連接,并共同形成PTAT電流產生電路的第二支路電流輸出端,與基準電壓產生電路連接;MOS管M15的柵極與漏極共接后,與MOS管M14的柵極連接,并共同形成PTAT電流產生電路的第三支路電流輸出端,與基準電壓產生電路連接;MOS管M16的柵極與漏極共接后,與MOS管M17的柵極連接,并共同形成PTAT電流產生電路的輸入端,與啟動電路連接;MOS管M18的柵極與漏極共接后,與MOS管M19的柵極連接;
上述CTAT電流產生電路由MOS管M20-M27和電阻R1組成;MOS管M20和MOS管M21的源極與電源VDD連接;MOS管M26的源極直接與地GND連接;MOS管M27的源極經電阻R1與地GND連接;MOS管M20的漏極與MOS管M22的源極連接;MOS管M22的漏極與MOS管M24的漏極連接;MOS管M24的源極與MOS管M26的漏極連接;MOS管M21的漏極與MOS管M23的源極連接;MOS管M23的漏極與MOS管M25的漏極連接;MOS管M25的源極與MOS管M27的漏極連接;MOS管M21的柵極與漏極共接后,與MOS管M20的柵極連接,并共同形成CTAT電流產生電路的第四支路電流輸出端,與基準電壓產生電路連接;MOS管M23的柵極與漏極共接后,與MOS管M22的柵極連接,并共同形成CTAT電流產生電路的第五支路電流輸出端,與基準電壓產生電路連接;MOS管M24的柵極與漏極共接后,與MOS管M25的柵極連接;MOS管M26的柵極與漏極共接后,與MOS管M27的柵極連接;
其中PTAT電流產生電路的電阻R0與CTAT電流產生電路的電阻R1的材質不同。
上述方案中,PTAT電流產生電路的電阻R0為高摻雜多晶硅電阻,CTAT電流產生電路的電阻R1為阱電阻。
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