[實用新型]一種基于不同材質電阻的高精度基準電壓源

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720907078.0
• 申請日: 2017-07-25
• 公開（公告）號: CN207051761U
• 公開（公告）日: 2018-02-27
• 發(fā)明（設計）人: 徐衛(wèi)林;劉俊昕;孫曉菲;岳宏衛(wèi);李海鷗;段吉海
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標事務所有限公司45107
• 代理人: 陳躍琳

1.一種基于不同材質電阻的高精度基準電壓源，由并聯(lián)于電源VDD與地之間的啟動電路、PTAT電流產(chǎn)生電路、CTAT電流產(chǎn)生電路和基準電壓產(chǎn)生電路組成；其特征是，

上述PTAT電流產(chǎn)生電路由MOS管M12-M19和電阻R0組成；MOS管M12和MOS管M13的源極與電源VDD連接；MOS管M18的源極直接與地GND連接；MOS管M19的源極經(jīng)電阻R0與地GND連接；MOS管M12的漏極與MOS管M14的源極連接；MOS管M14的漏極與MOS管M16的漏極連接；MOS管M16的源極與MOS管M18的漏極連接；MOS管M13的漏極與MOS管M15的源極連接；MOS管M15的漏極與MOS管M17的漏極連接；MOS管M17的源極與MOS管M19的漏極連接；MOS管M13的柵極與漏極共接后，與MOS管M12的柵極連接，并共同形成PTAT電流產(chǎn)生電路的第二支路電流輸出端，與基準電壓產(chǎn)生電路連接；MOS管M15的柵極與漏極共接后，與MOS管M14的柵極連接，并共同形成PTAT電流產(chǎn)生電路的第三支路電流輸出端，與基準電壓產(chǎn)生電路連接；MOS管M16的柵極與漏極共接后，與MOS管M17的柵極連接，并共同形成PTAT電流產(chǎn)生電路的輸入端，與啟動電路連接；MOS管M18的柵極與漏極共接后，與MOS管M19的柵極連接；

上述CTAT電流產(chǎn)生電路由MOS管M20-M27和電阻R1組成；MOS管M20和MOS管M21的源極與電源VDD連接；MOS管M26的源極直接與地GND連接；MOS管M27的源極經(jīng)電阻R1與地GND連接；MOS管M20的漏極與MOS管M22的源極連接；MOS管M22的漏極與MOS管M24的漏極連接；MOS管M24的源極與MOS管M26的漏極連接；MOS管M21的漏極與MOS管M23的源極連接；MOS管M23的漏極與MOS管M25的漏極連接；MOS管M25的源極與MOS管M27的漏極連接；MOS管M21的柵極與漏極共接后，與MOS管M20的柵極連接，并共同形成CTAT電流產(chǎn)生電路的第四支路電流輸出端，與基準電壓產(chǎn)生電路連接；MOS管M23的柵極與漏極共接后，與MOS管M22的柵極連接，并共同形成CTAT電流產(chǎn)生電路的第五支路電流輸出端，與基準電壓產(chǎn)生電路連接；MOS管M24的柵極與漏極共接后，與MOS管M25的柵極連接；MOS管M26的柵極與漏極共接后，與MOS管M27的柵極連接；

其中PTAT電流產(chǎn)生電路的電阻R0與CTAT電流產(chǎn)生電路的電阻R1的材質不同。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種基于不同材質電阻的高精度基準電壓源，其特征是，PTAT電流產(chǎn)生電路的電阻R₀為高摻雜多晶硅電阻，CTAT電流產(chǎn)生電路的電阻R₁為阱電阻。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種基于不同材質電阻的高精度基準電壓源，其特征是，所述啟動電路由MOS管M1-M11組成；

MOS管M1、MOS管M5、MOS管M8和MOS管M10的源極與電源VDD連接；MOS管M4、MOS管M7和MOS管M11的源極和漏極，以及MOS管M6和MOS管M9的源極與地GND連接；MOS管M1的柵極與漏極共接后，與MOS管M2的源極連接；MOS管M2的柵極與漏極共接后，與MOS管M3的源極連接；MOS管M3的柵極與漏極共接后，與MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6的柵極連接；MOS管M5的漏極與MOS管M6的漏極共接后，與MOS管M7的柵極連接；MOS管M8的柵極和MOS管M9的柵極共接后，與MOS管M7的柵極連接；MOS管M8和MOS管M9的漏極與MOS管M10和MOS管M11的柵極連接；MOS管M11的漏極作為啟動電路輸出與PTAT電流產(chǎn)生電路連接。