[實用新型]一種干法刻蝕設備的粗抽管道結構有效
| 申請號： | 201720906971.1 | 申請日： | 2017-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN207134330U | 公開（公告）日： | 2018-03-23 |
| 發明（設計）人： | 闞杰;沈吉;劉東升;朱駿;張旭升;張曉騰 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 刻蝕 設備 管道 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種干法刻蝕設備的粗抽管道結構，其特征在于，包括：
反應室；
第一真空泵，與所述反應室連通；
第二真空泵，與所述反應室連通；
粗抽管道，兩端分別連通所述反應室和所述第二真空泵，所述第二真空泵通過所述粗抽管道與所述反應室連通；
調壓閥，設置于所述粗抽管道的中部。
2.如權利要求1所述的粗抽管道結構，其特征在于，所述調壓閥為手動調壓閥。
3.如權利要求1所述的粗抽管道結構，其特征在于，還包括一排氣管道，連通所述第一真空泵的出氣口和所述第二真空泵的出氣口。
4.如權利要求3所述的粗抽管道結構，其特征在于，每兩個所述反應室共用一個所述排氣管道。
5.如權利要求1所述的粗抽管道結構，其特征在于，所述第一真空泵為分子泵。
6.如權利要求1所述的粗抽管道結構，其特征在于，所述第二真空泵為干泵。
7.一種干法刻蝕設備，其特征在于，包括如權利要求1-6中任一所述的粗抽管道結構。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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