[實用新型]一種用于功率半導體DPOLY工藝的立式爐工藝舟

有效

• 申請號: 201720905569.1
• 申請日: 2017-07-25
• 公開（公告）號: CN207425822U
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 彭新華;江冰松;尚可;馬亮;廖才能
• 申請（專利權）人: 株洲中車時代電氣股份有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L21/67
• 代理公司: 北京聿華聯合知識產權代理有限公司 11611
• 代理人: 朱繪;張文娟

本實用新型公開了一種用于功率半導體DPOLY工藝的立式爐工藝舟，所述工藝舟包括腔體，其中：所述腔體構造有用于將硅片放入所述腔體內部的安置口；所述腔體內構造有一層或多層安置臺，每層安置臺對應安置一片硅片；每層安置臺包含一個或多個固定安裝在所述腔體內壁的支撐構件，所述安置臺配置為利用所述支撐構件支撐所述硅片以實現對所述硅片的水平定位安置；所述支撐構件配置為其在支撐所述硅片時上表面與所述硅片接觸，其中，所述上表面構造為非水平面結構。本實用新型的工藝舟結構簡單、硬件成本低；相較于現有技術，可以有效減少硅片與工藝舟的接觸面積，從而有效降低硅片與工藝舟粘連情況的發生，從而降低的備件消耗費用。

技術領域

本實用新型涉及電子技術領域，具體涉及一種用于功率半導體DPOLY工藝的立式爐工藝舟。

背景技術

多晶硅(POLY)在半導體器件制造過程中，應用非常廣泛，主要用為柵極、互連、填充材料。如在平面IGBT器件中，多晶硅用于柵極和互連材料；溝槽柵 IGBT產品制造過程中，多晶硅來用作溝槽填充材料。

原位摻雜多晶硅(DPOLY)是現有技術中多晶硅工藝中一個重要分支：其反應溫度520-560℃，采用硅烷和磷烷同時通入爐管進行工藝。通常，多晶硅反應設備為立式爐管設備。如圖1所示，立式爐管設備的反應腔室為石英(QUARTZ) 的內管112、外管111，以及碳化硅(SIC)的工藝舟113。

工藝舟是硅片進行工藝時的載具，在現有技術中，工作狀態下的工藝舟的大致結構如圖2所示，工藝舟210內具備多層卡槽212，每層卡槽水平安置一片硅片211。在實際應用場景中，工藝舟承載硅片在爐內進行反應時，會出現硅片與承載其的工藝舟卡槽發生粘連的情況。在這種情況下，硅片和工藝舟出爐后從反應溫度(520-560℃)短時間內降到室溫，極易造成硅片因為應力變化不能得到自恢復而碎片。為了解決這類問題，通常的解決辦法是對工藝舟與硅片之間的接觸面的涂層進行修復處理或者是更換SIC工藝舟，這就導致一筆非常大的備件消耗費用。

實用新型內容

本實用新型提供了一種用于功率半導體DPOLY工藝的立式爐工藝舟，所述工藝舟包括腔體，其中：

所述腔體構造有用于將硅片放入所述腔體內部的安置口；

所述腔體內構造有一層或多層安置臺，每層安置臺對應安置一片硅片；

每層安置臺包含一個或多個固定安裝在所述腔體內壁的支撐構件，所述安置臺配置為利用所述支撐構件支撐所述硅片以實現對所述硅片的水平定位安置；

所述支撐構件配置為其在支撐所述硅片時上表面與所述硅片接觸，其中，所述上表面構造為非水平面結構。

在一實施例中，所述上表面構造為斜面。

在一實施例中，所述上表面構造為在由所述腔體內壁到所述腔體內中心方向上向下的斜面。

在一實施例中，所述上表面與水平面的夾角為30度。

在一實施例中，每層安置臺包含1個所述支撐構件，所述支撐構件呈弧狀圍繞所述腔體內中心。

在一實施例中，每層安置臺包含多個所述支撐構件，多個所述支撐構件圍繞所述腔體內中心等間距排布。

在一實施例中，每層安置臺包含4個所述支撐構件。

在一實施例中，所述腔體一側完全開放作為所述安置口。

本實用新型的工藝舟結構簡單、硬件成本低；相較于現有技術，可以有效減少硅片與工藝舟的接觸面積，從而有效降低硅片與工藝舟粘連情況的發生，從而降低的備件消耗費用。