[實用新型]一種用于功率半導體DPOLY工藝的立式爐工藝舟

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720905569.1
• 申請日: 2017-07-25
• 公開（公告）號: CN207425822U
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發(fā)明（設計）人: 彭新華;江冰松;尚可;馬亮;廖才能
• 申請（專利權）人: 株洲中車時代電氣股份有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L21/67
• 代理公司: 北京聿華聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11611
• 代理人: 朱繪;張文娟

1.一種用于功率半導體DPOLY工藝的立式爐工藝舟，所述工藝舟包括腔體，其中：

所述腔體構造有用于將硅片放入所述腔體內(nèi)部的安置口；

所述腔體內(nèi)構造有一層或多層安置臺，每層安置臺對應安置一片硅片；

每層安置臺包含一個或多個固定安裝在所述腔體內(nèi)壁的支撐構件，所述安置臺配置為利用所述支撐構件支撐所述硅片以實現(xiàn)對所述硅片的水平定位安置；

所述支撐構件配置為其在支撐所述硅片時上表面與所述硅片接觸，其中，所述上表面構造為非水平面結構。

2.根據(jù)權利要求1所述的工藝舟，其特征在于，所述上表面構造為斜面。

3.根據(jù)權利要求2所述的工藝舟，其特征在于，所述上表面構造為在由所述腔體內(nèi)壁到所述腔體內(nèi)中心方向上向下的斜面。

4.根據(jù)權利要求3所述的工藝舟，其特征在于，所述上表面與水平面的夾角為30度。

5.根據(jù)權利要求1～4中任一項所述的工藝舟，其特征在于，每層安置臺包含1個所述支撐構件，所述支撐構件呈弧狀圍繞所述腔體內(nèi)中心。

6.根據(jù)權利要求1～4中任一項所述的工藝舟，其特征在于，每層安置臺包含多個所述支撐構件，多個所述支撐構件圍繞所述腔體內(nèi)中心等間距排布。

7.根據(jù)權利要求1～4中任一項所述的工藝舟，其特征在于，每層安置臺包含4個所述支撐構件。

8.根據(jù)權利要求1～4中任一項所述的工藝舟，其特征在于，所述腔體一側(cè)完全開放作為所述安置口。