[實用新型]一種深紫外LED

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720898806.6
• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN207381424U
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何苗;黃波;王成民;王潤;周海亮
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

本申請?zhí)峁┮环N深紫外LED，包括：襯底；位于所述襯底表面的未摻雜的緩沖層；位于所述未摻雜的緩沖層背離所述襯底表面的N型AlGaN層；位于所述N型AlGaN層背離所述襯底表面的多量子阱結(jié)構(gòu)；位于所述多量子阱結(jié)構(gòu)背離所述襯底表面的V型Al組分漸變的P型AlGaN結(jié)構(gòu)，所述V型Al組分漸變的P型AlGaN結(jié)構(gòu)采用極化摻雜，且其中所述V型Al組分漸變的P型AlGaN結(jié)構(gòu)中的Al組分與所述多量子阱結(jié)構(gòu)的Al組分不同；位于所述V型Al組分漸變的P型AlGaN結(jié)構(gòu)背離所述襯底表面的P型GaN層。由于V型Al組分漸變的P型AlGaN結(jié)構(gòu)能夠獲得更高濃度的空穴，從而提高紫外LED的內(nèi)量子效率和發(fā)射功率。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及半導體光電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種深紫外LED (Light-Emitting Diode，發(fā)光二極管)。

背景技術(shù)

基于AlGaN(氮化鋁鎵)材料的紫外LED是目前氮化物技術(shù)發(fā)展和第三代材料技術(shù)發(fā)展的主要趨勢，擁有廣闊的應(yīng)用前景。紫外LED應(yīng)用范圍很廣，如空氣和水的凈化、消毒、紫外醫(yī)療、高密度光學存儲系統(tǒng)、全彩顯示器以及固態(tài)白光照明等等。半導體紫外光源作為半導體照明后的又一重大產(chǎn)業(yè)，已經(jīng)引起半導體光電行業(yè)的廣泛關(guān)注。

但與藍光LED不同，目前紫外LED正處于技術(shù)發(fā)展期，還存在一些難以突破的問題，如AlGaN基紫外LED的內(nèi)量子效率和發(fā)射功率相對較低。

因此，如何提高AlGaN基紫外LED的內(nèi)量子效率和發(fā)射功率成為亟待解決的問題。

實用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實用新型提供一種深紫外LED，以解決現(xiàn)有技術(shù)中深紫外 LED的內(nèi)量子效率和發(fā)射功率較低的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案：

一種深紫外LED，包括：

襯底；

位于所述襯底表面的未摻雜的緩沖層；

位于所述未摻雜的緩沖層背離所述襯底表面的N型AlGaN層；

位于所述N型AlGaN層背離所述襯底表面的多量子阱結(jié)構(gòu)；

位于所述多量子阱結(jié)構(gòu)背離所述襯底表面的V型Al組分漸變的P型 AlGaN結(jié)構(gòu)，所述V型Al組分漸變的P型AlGaN結(jié)構(gòu)采用極化摻雜，且其中所述V型Al組分漸變的P型AlGaN結(jié)構(gòu)中的Al組分與所述多量子阱結(jié)構(gòu)的Al組分不同；

位于所述V型Al組分漸變的P型AlGaN結(jié)構(gòu)背離所述襯底表面的P型 GaN層。

優(yōu)選地，所述V型Al組分漸變的P型AlGaN結(jié)構(gòu)包括至少一層 Al0.65Ga0.35N層和至少一層AlxGa1-xN層，所述Al0.65Ga0.35N層和所述AlxGa1-xN 層交替疊加，其中，所述Al0.65Ga0.35N層生長在所述多量子阱結(jié)構(gòu)的表面。

優(yōu)選地，所述AlxGa1-xN層中的x取值范圍為：0.3≤x≤0.4。

優(yōu)選地，所述V型Al組分漸變的P型AlGaN結(jié)構(gòu)中每層結(jié)構(gòu)的厚度為12.22nm，共110nm。

優(yōu)選地，所述襯底為C面的藍寶石襯底。