[實(shí)用新型]一種深紫外LED

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720898806.6
• 申請(qǐng)日: 2017-07-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN207381424U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何苗;黃波;王成民;王潤(rùn);周海亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L33/06
• 分類號(hào): H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種深紫外LED，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底表面的未摻雜的緩沖層；

位于所述未摻雜的緩沖層背離所述襯底表面的N型AlGaN層；

位于所述N型AlGaN層背離所述襯底表面的多量子阱結(jié)構(gòu)；

位于所述多量子阱結(jié)構(gòu)背離所述襯底表面的V型Al組分漸變的P型AlGaN結(jié)構(gòu)，所述V型Al組分漸變的P型AlGaN結(jié)構(gòu)采用極化摻雜，且其中所述V型Al組分漸變的P型AlGaN結(jié)構(gòu)中的Al組分與所述多量子阱結(jié)構(gòu)的Al組分不同；

位于所述V型Al組分漸變的P型AlGaN結(jié)構(gòu)背離所述襯底表面的P型GaN層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深紫外LED，其特征在于，所述V型Al組分漸變的P型AlGaN結(jié)構(gòu)包括至少一層Al0.65Ga0.35N層和至少一層AlxGa1-xN層，所述Al0.65Ga0.35N層和所述AlxGa1-xN層交替疊加，其中，所述Al0.65Ga0.35N層生長(zhǎng)在所述多量子阱結(jié)構(gòu)的表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的深紫外LED，其特征在于，所述AlxGa1-xN層中的x取值范圍為：0.3≤x≤0.4。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的深紫外LED，其特征在于，所述V型Al組分漸變的P型AlGaN結(jié)構(gòu)中每層結(jié)構(gòu)的厚度為12.22nm，共110nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的深紫外LED，其特征在于，所述襯底為C面的藍(lán)寶石襯底。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的深紫外LED，其特征在于，所述未摻雜的緩沖層為未摻雜的Al0.5Ga0.5N緩沖層，厚度為1.5μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的深紫外LED，其特征在于，所述N型AlGaN層為Al0.5Ga0.5N層，厚度為3.0μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的深紫外LED，其特征在于，所述多量子阱結(jié)構(gòu)為5個(gè)周期的Al0.36Ga0.64N層和Al0.5Ga0.5N層的疊加結(jié)構(gòu)，其中，所述Al0.36Ga0.64N層生長(zhǎng)在所述N型AlGaN層的表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的深紫外LED，其特征在于，所述多量子阱結(jié)構(gòu)的每層所述Al0.36Ga0.64N層的厚度為10nm，每層所述Al0.5Ga0.5N層的厚度為3nm。