[實用新型]一種硅片批量吸取裝置有效
| 申請號: | 201720868251.0 | 申請日: | 2017-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN207116404U | 公開(公告)日: | 2018-03-16 |
| 發明(設計)人: | 張學強;戴軍;張建偉;賈宇鵬 | 申請(專利權)人: | 羅博特科智能科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙)11369 | 代理人: | 韓飛 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 批量 吸取 裝置 | ||
1.一種硅片批量吸取裝置,其特征在于,包括:
吸取組件(1);以及
用于將吸取組件(1)鎖緊固定的緊固組件(2),
其中,吸取組件(1)由若干片彼此緊貼的硅片吸盤(11)層疊而成,緊固組件(2)包括分別設在吸取組件(1)左右兩端的左安裝板(21)與右安裝板(22),以及設于左安裝板(21)與右安裝板(22)之間的連接桿(25),吸取組件(1)穿套于連接桿(25)之上并由左安裝板(21)與右安裝板(22)鎖緊固定。
2.如權利要求1所述的硅片批量吸取裝置,其特征在于,硅片吸盤(11)包括:
與硅片相接觸的吸取部(112);以及
與吸取部(112)一體成型的根部(111),
其中,吸取部(112)與硅片相接觸面上開設有至少兩個吸嘴(1121),硅片吸盤(11)的內部開設有通往根部(111)并連通外界的氣路(113),氣路(113)與吸嘴(1121)相連通。
3.如權利要求2所述的硅片批量吸取裝置,其特征在于,根部(111)的厚度大于吸取部(112)的厚度,吸取部(112)關于根部(111)偏置設置從而當相鄰兩片硅片吸盤(11)緊貼時兩者的吸取部(112)之間形成有用于容納硅片的細縫(13)。
4.如權利要求3所述的硅片批量吸取裝置,其特征在于,細縫(13)的厚度大于硅片的厚度。
5.如權利要求4所述的硅片批量吸取裝置,其特征在于,假定細縫(13)的厚度為H,硅片的厚度為h,則有h<H≤2h。
6.如權利要求2所述的硅片批量吸取裝置,其特征在于,氣路(113)的出口設于根部(111)的端部,且氣路(113)的出口處設有沿硅片吸盤(11)的長度伸展方向凸起的氣管安裝部(1112)。
7.如權利要求6所述的硅片批量吸取裝置,其特征在于,氣管安裝部(1112)關于硅片吸盤(11)的縱向中心線(Z)偏置設置。
8.如權利要求7所述的硅片批量吸取裝置,其特征在于,相鄰兩片硅片吸盤(11)上的氣管安裝部(1112)非同側設置從而當相鄰兩片硅片吸盤(11)緊貼時兩者的氣管安裝部(1112)不接觸。
9.如權利要求1~8任一項所述的硅片批量吸取裝置,其特征在于,硅片吸盤(11)由陶瓷材料制成。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





