[實用新型]一種包覆型芯片尺寸封裝結構

有效

• 申請號: 201720832468.6
• 申請日: 2017-07-10
• 公開（公告）號: CN206907755U
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發明（設計）人: 徐虹;張黎;陳棟;陳錦輝;賴志明
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司32200
• 代理人: 趙華

1.一種包覆型芯片尺寸封裝結構，其包括硅基本體（111）和芯片電極（113），所述硅基本體（111）的正面設置鈍化層（210）并開設鈍化層開口（213），所述芯片電極（113）由背面嵌入硅基本體（111）的正面，所述鈍化層開口（213）露出芯片電極（113）的正面，

其特征在于，所述鈍化層（210）的上表面設置介電層Ⅰ（310）并開設介電層Ⅰ開口（311），所述介電層Ⅰ開口（311）露出芯片電極（113）的正面，所述介電層Ⅰ（310）不覆蓋到鈍化層（210）的邊緣；

所述芯片電極（113）的上表面設置凸塊底部金屬，所述凸塊底部金屬由下而上依次包括金屬種子層Ⅰ（410）、金屬層Ⅰ（510），并在金屬層Ⅰ（510）上設置焊球（600）；

所述硅基本體（111）的四周和背面設置包封層Ⅰ（121），所述包封層Ⅰ（121）向上延展覆蓋鈍化層（210）的裸露部分，其上表面與介電層Ⅰ（310）的上表面齊平，所述包封層Ⅰ（121）為一體結構。

2.根據權利要求1所述的包覆型芯片尺寸封裝結構，其特征在于：所述硅基本體（111）的側壁是垂直的。

3.根據權利要求1所述的包覆型芯片尺寸封裝結構，其特征在于： 所述硅基本體（111）的側壁設有臺階。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的包覆型芯片尺寸封裝結構，其特征在于：所述硅基本體（111）的背面設置硅基加強層（115）。

5.一種包覆型芯片尺寸封裝結構，其包括硅基本體（111）和芯片電極（113），所述硅基本體（111）的正面設置鈍化層（210）并開設鈍化層開口（213），所述芯片電極（113）由背面嵌入硅基本體（111）的正面，所述鈍化層開口（213）露出芯片電極（113）的正面，

其特征在于，所述鈍化層（210）的上表面設置介電層Ⅰ（310）并開設介電層Ⅰ開口（311），所述介電層Ⅰ開口（311）露出芯片電極（113）的正面，所述介電層Ⅰ（310）不覆蓋到鈍化層（210）的邊緣，其上依次覆蓋金屬種子層Ⅰ（410）、金屬層Ⅰ（510）和介電層Ⅱ（320），所述介電層Ⅱ（320）開設介電層開口（321）露出金屬層Ⅰ（510）；

所述金屬層Ⅰ（510）的上表面設置凸塊底部金屬Ⅱ，所述凸塊底部金屬Ⅱ由下而上依次包括金屬種子層Ⅱ（420）、金屬層Ⅱ（520），并在金屬層Ⅱ（520）上設置焊球（600）；

所述硅基本體（111）的四周和背面設置包封層Ⅱ（123），所述包封層Ⅱ（123）向上延展覆蓋鈍化層（210）的裸露部分，其上表面與介電層Ⅱ（320）的上表面齊平，所述包封層Ⅱ（123）為一體結構。

6.根據權利要求5所述的包覆型芯片尺寸封裝結構，其特征在于：所述硅基本體（111）的側壁是垂直的。

7.根據權利要求5所述的包覆型芯片尺寸封裝結構，其特征在于： 所述硅基本體（111）的側壁設有臺階。

8.根據權利要求5至7中任一項所述的包覆型芯片尺寸封裝結構，其特征在于：所述硅基本體（111）的背面設置硅基加強層（115）。