[實用新型]一種高壓邏輯電路

有效

• 申請號: 201720828697.0
• 申請日: 2017-07-10
• 公開（公告）號: CN207265998U
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 陳曉璐;張賽
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: H03K19/00
• 分類號: H03K19/00;H03K19/003
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司11319
• 代理人: 莎日娜

技術領域

本實用新型涉及電路技術領域，特別是涉及一種高壓邏輯電路。

背景技術

現有技術中，應用高壓邏輯電路時，通常需要使用level shift(電平移位) 電路進行電壓域轉換，以及使用高壓mos管構成的高壓邏輯模塊對輸入信號進行邏輯運算。

現有技術中的高壓邏輯電路存在以下缺陷：需要使用大量的高壓mos 管，既浪費芯片面積，又增加了高壓信號的負載電容。

實用新型內容

鑒于上述問題，本實用新型實施例的目的在于提供一種高壓邏輯電路，以解決現有技術中的高壓邏輯電路需要使用大量的高壓mos管的問題。

為了解決上述問題，本實用新型實施例公開了一種高壓邏輯電路，包括：

高壓預充模塊，所述高壓預充模塊與高壓電源相連，當所述高壓預充模塊工作時，所述高壓預充模塊的輸出端電壓預充至所述高壓電源的電壓；

高壓隔離模塊，所述高壓隔離模塊與所述高壓預充模塊的輸出端相連，所述高壓隔離模塊接收所述高壓電源的電壓，當所述高壓隔離模塊工作時，所述高壓隔離模塊輸出預設低壓；

低壓邏輯模塊，所述低壓邏輯模塊的電源端與所述高壓隔離模塊的輸出端相連，所述低壓邏輯模塊用于接收低壓數據信號，并對所述低壓數據信號進行邏輯處理；

求值模塊，所述求值模塊與所述低壓邏輯模塊相連，當所述求值模塊工作時，所述求值模塊對所述低壓邏輯模塊邏輯處理后的結果進行求值。

可選地，所述高壓電源的電壓為正電壓，所述低壓邏輯模塊為低壓 NMOS邏輯電路，所述求值模塊的輸出端接地。

可選地，所述求值模塊包括：

低壓NMOS管，所述低壓NMOS管的柵端接收求值使能信號，所述低壓NMOS管的漏端與所述低壓邏輯模塊相連，所述低壓NMOS管的源端接地。

可選地，所述高壓預充模塊包括：

第一高壓PMOS管，所述第一高壓PMOS管的柵端接收預充使能信號，所述第一高壓PMOS管的源端與所述高壓電源相連，所述第一高壓PMOS 管的漏端與所述高壓隔離模塊相連。

可選地，所述高壓隔離模塊包括：

第一高壓NMOS管，所述第一高壓NMOS管的柵端接收隔離使能信號，所述第一高壓NMOS管的漏端與所述高壓預充模塊的輸出端相連，所述第一高壓NMOS管的源端與所述低壓邏輯模塊的電源端相連。

可選地，所述高壓電源的電壓為負電壓，所述低壓邏輯模塊為低壓 PMOS邏輯電路，所述求值模塊的輸出端與低壓電源相連。

可選地，所述求值模塊包括：

低壓PMOS管，所述低壓PMOS管的柵端接收求值使能信號，所述低壓PMOS管的漏端與所述低壓邏輯模塊相連，所述低壓PMOS管的源端與所述低壓電源相連。

可選地，所述高壓預充模塊包括：

第二高壓NMOS管，所述第二高壓NMOS管的柵端接收預充使能信號，所述第二高壓NMOS管的源端與所述高壓電源相連，所述第二高壓NMOS 管的漏端與所述高壓隔離模塊相連。

可選地，所述高壓隔離模塊包括：

第二高壓PMOS管，所述第二高壓PMOS管的柵端接收隔離使能信號，所述第二高壓PMOS管的漏端與所述高壓預充模塊的輸出端相連，所述第二高壓PMOS管的源端與所述低壓邏輯模塊的電源端相連。

可選地，所述高壓邏輯電路還包括：

電壓保持模塊，所述電壓保持模塊分別與所述高壓電源和所述高壓預充模塊的輸出端相連，所述電壓保持模塊用于將所述高壓預充模塊的輸出端電壓保持在所述高壓電源的電壓。

本實用新型實施例包括以下優點：設置高壓邏輯電路包括高壓預充模塊、高壓隔離模塊、低壓邏輯模塊和求值模塊，其中，高壓預充模塊與高壓電源相連，當高壓預充模塊工作時，高壓預充模塊的輸出端電壓預充至高壓電源的電壓；高壓隔離模塊與高壓預充模塊的輸出端相連，高壓隔離模塊接收高壓電源的電壓，當高壓隔離模塊工作時，高壓隔離模塊輸出預設低壓；低壓邏輯模塊的電源端與高壓隔離模塊的輸出端相連，低壓邏輯模塊用于接收低壓數據信號，并對低壓數據信號進行邏輯處理；求值模塊與低壓邏輯模塊相連，當求值模塊工作時，求值模塊對低壓邏輯模塊邏輯處理后的結果進行求值。這樣，本實用新型實施例通過增加高壓隔離模塊，將輸入低壓邏輯模塊的高壓信號進行隔離，不僅使得低壓數據信號無需進行電壓域轉換，即節省了level shift電路，而且采用低壓邏輯模塊對低壓數據信號進行邏輯運算，即節省了高壓邏輯模塊，因此，有效減少了高壓MOS管的使用，和減小了高壓信號的負載電容。