[實(shí)用新型]一種高壓邏輯電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720828697.0 | 申請(qǐng)日： | 2017-07-10 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN207265998U | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳曉璐;張賽 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03K19/00 | 分類號(hào)： | H03K19/00;H03K19/003 |
| 代理公司： | 北京潤(rùn)澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高壓 邏輯電路 | ||
1.一種高壓邏輯電路，其特征在于，包括：
高壓預(yù)充模塊，所述高壓預(yù)充模塊與高壓電源相連，當(dāng)所述高壓預(yù)充模塊工作時(shí)，所述高壓預(yù)充模塊的輸出端電壓預(yù)充至所述高壓電源的電壓；
高壓隔離模塊，所述高壓隔離模塊與所述高壓預(yù)充模塊的輸出端相連，所述高壓隔離模塊接收所述高壓電源的電壓，當(dāng)所述高壓隔離模塊工作時(shí)，所述高壓隔離模塊輸出預(yù)設(shè)低壓；
低壓邏輯模塊，所述低壓邏輯模塊的電源端與所述高壓隔離模塊的輸出端相連，所述低壓邏輯模塊接收低壓數(shù)據(jù)信號(hào)，并對(duì)所述低壓數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行邏輯處理；
求值模塊，所述求值模塊與所述低壓邏輯模塊相連，當(dāng)所述求值模塊工作時(shí)，所述求值模塊對(duì)所述低壓邏輯模塊邏輯處理后的結(jié)果進(jìn)行求值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓邏輯電路，其特征在于，所述高壓電源的電壓為正電壓，所述低壓邏輯模塊為低壓NMOS邏輯電路，所述求值模塊的輸出端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓邏輯電路，其特征在于，所述求值模塊包括：
低壓NMOS管，所述低壓NMOS管的柵端接收求值使能信號(hào)，所述低壓NMOS管的漏端與所述低壓邏輯模塊相連，所述低壓NMOS管的源端接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓邏輯電路，其特征在于，所述高壓預(yù)充模塊包括：
第一高壓PMOS管，所述第一高壓PMOS管的柵端接收預(yù)充使能信號(hào)，所述第一高壓PMOS管的源端與所述高壓電源相連，所述第一高壓PMOS管的漏端與所述高壓隔離模塊相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓邏輯電路，其特征在于，所述高壓隔離模塊包括：
第一高壓NMOS管，所述第一高壓NMOS管的柵端接收隔離使能信號(hào)，所述第一高壓NMOS管的漏端與所述高壓預(yù)充模塊的輸出端相連，所述第一高壓NMOS管的源端與所述低壓邏輯模塊的電源端相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓邏輯電路，其特征在于，所述高壓電源的電壓為負(fù)電壓，所述低壓邏輯模塊為低壓PMOS邏輯電路，所述求值模塊的輸出端與低壓電源相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高壓邏輯電路，其特征在于，所述求值模塊包括：
低壓PMOS管，所述低壓PMOS管的柵端接收求值使能信號(hào)，所述低壓PMOS管的漏端與所述低壓邏輯模塊相連，所述低壓PMOS管的源端與所述低壓電源相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高壓邏輯電路，其特征在于，所述高壓預(yù)充模塊包括：
第二高壓NMOS管，所述第二高壓NMOS管的柵端接收預(yù)充使能信號(hào)，所述第二高壓NMOS管的源端與所述高壓電源相連，所述第二高壓NMOS管的漏端與所述高壓隔離模塊相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高壓邏輯電路，其特征在于，所述高壓隔離模塊包括：
第二高壓PMOS管，所述第二高壓PMOS管的柵端接收隔離使能信號(hào)，所述第二高壓PMOS管的漏端與所述高壓預(yù)充模塊的輸出端相連，所述第二高壓PMOS管的源端與所述低壓邏輯模塊的電源端相連。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓邏輯電路，其特征在于，還包括：
電壓保持模塊，所述電壓保持模塊分別與所述高壓電源和所述高壓預(yù)充模塊的輸出端相連，所述電壓保持模塊將所述高壓預(yù)充模塊的輸出端電壓保持在所述高壓電源的電壓。
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