[實用新型]陶瓷電容有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720809219.5 | 申請日: | 2017-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN207021149U | 公開(公告)日: | 2018-02-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張浩 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳通感微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01G4/232 | 分類號: | H01G4/232;H01G4/30 |
| 代理公司: | 深圳市瑞方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)44314 | 代理人: | 林儉良,高瑞 |
| 地址: | 518034 廣東省深圳市福田區(qū)紅*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陶瓷 電容 | ||
1.一種陶瓷電容,包括基板(11)、以及設(shè)置在所述基板(11)頂部的第一焊墊(15)以及設(shè)置在所述基板(11)底部的第二焊墊(16);其特征在于,
所述基板(11)包括設(shè)置在所述基板(11)底部的第一焊接面(112)、以及設(shè)置在所述基板(11)頂部的第二焊接面(111);所述第一焊接面(112)設(shè)有第一電流擴(kuò)散層(12);所述第二焊接面(112)上設(shè)有第二電流擴(kuò)散層(13)和第三電流擴(kuò)散層(14),所述第二電流擴(kuò)散層(13)和所述第三電流擴(kuò)散層(14)之間留有縫隙;
所述第一焊墊(15)設(shè)置在所述第二電流擴(kuò)散層(13)上,所述第二焊墊(16)設(shè)置在所述第一電流擴(kuò)散層(12)上;
所述第一焊墊(15)靠近所述第三電流擴(kuò)散層(14)的一側(cè)設(shè)有用于阻擋焊料流出的焊料壩(17)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電容,其特征在于,所述基板(11)呈長方體;所述第一焊接面(112)和所述第二焊接面(111)呈長方形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陶瓷電容,其特征在于,所述第一焊墊(15)底部面積小于所述第二電流擴(kuò)散層(13)頂部面積;所述第二焊墊(16)頂部面積與所述第一電流擴(kuò)散層(12)底部面積相適配。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電容,其特征在于,所述第二電流擴(kuò)散層(13)和所述第三電流擴(kuò)散層(14)間設(shè)有用于將電流轉(zhuǎn)化為電動勢,減小沖擊電流的電阻(18)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電容,其特征在于,所述焊料壩(17) 的高度高于所述第一焊墊(15)的高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電容,其特征在于,所述焊料壩(17)的材質(zhì)為金屬材質(zhì),且所述焊料壩(17)的長度與所述第一焊墊(15)的長度相適配。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電容,其特征在于,所述基板(11)的材質(zhì)為絕緣性材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陶瓷電容,其特征在于,所述基板(11)為陶瓷基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電容,其特征在于,所述第一電流擴(kuò)散層(12)為鈦、鉑、金或者其他金屬涂層;所述第二電流擴(kuò)散層(13)為鈦、鉑、金或者其他金屬涂層;所述第三電流擴(kuò)散層(14)為鈦、鉑、金或者其他金屬涂層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電容,其特征在于,所述第一焊墊(15)和所述第二焊墊(16)的材質(zhì)為錫。
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