[實(shí)用新型]一種反應(yīng)倉(cāng)密封的真空鍍膜機(jī)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720774416.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN207002838U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-02-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉世文;熊翊世 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 深圳市森美協(xié)爾科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C16/06 | 分類(lèi)號(hào): | C23C16/06;C23C16/44 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 反應(yīng) 密封 真空鍍膜 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及真空鍍膜機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種反應(yīng)倉(cāng)密封的真空鍍膜機(jī)。
背景技術(shù)
真空鍍膜是指在小于10-3Pa的氣壓、600℃以上的溫度條件下,在真空反應(yīng)倉(cāng)內(nèi),將復(fù)合金屬原子經(jīng)高溫?zé)峤夥磻?yīng)從加熱源的材料中置換出來(lái),打到被鍍物體的表面上從而在待鍍的物體表面形成金屬薄膜。
現(xiàn)有的反應(yīng)倉(cāng)密封裝置往往僅使用橡膠密封圈進(jìn)行一次密封,密封性差,且密封圈受高溫易變型,使得倉(cāng)內(nèi)氣體容易發(fā)生外泄,需要花費(fèi)較長(zhǎng)時(shí)間抽真空,而且,倉(cāng)內(nèi)氣體外泄對(duì)人員和環(huán)境造成傷害和污染。由于密封性差,使得鍍膜時(shí)間過(guò)長(zhǎng),鍍膜后的表面不光滑,影響產(chǎn)品質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N反應(yīng)倉(cāng)密封的真空鍍膜機(jī),使得真空鍍膜機(jī)的反應(yīng)倉(cāng)密封效果好,防止工作氣體外泄,保證反應(yīng)倉(cāng)內(nèi)的真空度。
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N反應(yīng)倉(cāng)密封的真空鍍膜機(jī),該裝置包括:倉(cāng)體1、上蓋11,上蓋11蓋于倉(cāng)體1的倉(cāng)口之上,該裝置還包括:在倉(cāng)體1的倉(cāng)口,反應(yīng)倉(cāng)內(nèi)壁8與反應(yīng)倉(cāng)外壁12之間設(shè)置有第一T形凹槽和第二T形凹槽,所述第一T型凹槽內(nèi)設(shè)置有T型銅質(zhì)密封圈3,所述第二T型凹槽內(nèi)設(shè)置有橡膠密封圈2,緊貼反應(yīng)倉(cāng)外壁12內(nèi)側(cè)還設(shè)置有高溫加熱器5,所述高溫加熱器5對(duì)倉(cāng)體1進(jìn)行加熱時(shí),所述T型銅質(zhì)密封圈3受熱膨脹體積變大,與所述第一T形凹槽和上蓋11嚴(yán)密的貼合。
在一些實(shí)施例,倉(cāng)體1底部還設(shè)置有用于調(diào)節(jié)倉(cāng)內(nèi)真空度的真空截流閥4。
在一些實(shí)施例,反應(yīng)倉(cāng)外壁12還設(shè)置有至少一個(gè)觀察窗10。
在一些實(shí)施例,倉(cāng)體1還設(shè)置有用于輸入保護(hù)氣體的第一通道7和用于催化劑混合氣體的第二通道9。
在一些實(shí)施例,第一通道7輸入的所述保護(hù)氣體為惰性氣體。
依據(jù)上述實(shí)施例,本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N反應(yīng)倉(cāng)密封的真空鍍膜機(jī)由于在反應(yīng)倉(cāng)的倉(cāng)口的第一T形凹槽內(nèi)設(shè)置T型銅質(zhì)密封圈,巧妙利用真空鍍膜機(jī)使用過(guò)程中需對(duì)倉(cāng)體進(jìn)行的高溫加熱的原理,在對(duì)倉(cāng)體加熱的同時(shí)也對(duì)T型銅質(zhì)密封圈進(jìn)行加熱,加熱后的T型銅質(zhì)密封圈受熱膨脹體積變大,與第一T形凹槽和上蓋嚴(yán)密的貼合,實(shí)現(xiàn)對(duì)倉(cāng)體的一重密封,再在第二T形凹槽內(nèi)設(shè)置常規(guī)的橡膠密封圈,實(shí)現(xiàn)對(duì)倉(cāng)體的雙重密封,可有效防止工作氣體外泄,保證反應(yīng)倉(cāng)內(nèi)的真空度。
附圖說(shuō)明
圖1為本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N反應(yīng)倉(cāng)密封的真空鍍膜機(jī)結(jié)構(gòu)圖俯視圖;
圖2為本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N反應(yīng)倉(cāng)密封的真空鍍膜機(jī)結(jié)構(gòu)圖側(cè)視圖;
附圖標(biāo)記:1、倉(cāng)體,2、橡膠密封圈,3、T型銅質(zhì)密封圈,4、真空節(jié)流閥,5、高溫加熱器,7、第一通道,8、反應(yīng)倉(cāng)內(nèi)壁,9、第二通道,11、上蓋,12、反應(yīng)倉(cāng)外壁。
具體實(shí)施方式
下面通過(guò)具體實(shí)施方式結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。其中不同實(shí)施方式中類(lèi)似元件采用了相關(guān)聯(lián)的類(lèi)似的元件標(biāo)號(hào)。在以下的實(shí)施方式中,很多細(xì)節(jié)描述是為了使得本申請(qǐng)能被更好的理解。然而,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以毫不費(fèi)力的認(rèn)識(shí)到,其中部分特征在不同情況下是可以省略的,或者可以由其他元件、材料、方法所替代。在某些情況下,本申請(qǐng)相關(guān)的一些操作并沒(méi)有在說(shuō)明書(shū)中顯示或者描述,這是為了避免本申請(qǐng)的核心部分被過(guò)多的描述所淹沒(méi),而對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,詳細(xì)描述這些相關(guān)操作并不是必要的,他們根據(jù)說(shuō)明書(shū)中的描述以及本領(lǐng)域的一般技術(shù)知識(shí)即可完整了解相關(guān)操作。
實(shí)施例一:
參考圖1和圖2,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N反應(yīng)倉(cāng)密封的真空鍍膜機(jī),包括:倉(cāng)體1、上蓋11,上蓋11蓋于倉(cāng)體1的倉(cāng)口之上,還包括:在倉(cāng)體1的倉(cāng)口,反應(yīng)倉(cāng)內(nèi)壁8與反應(yīng)倉(cāng)外壁12之間設(shè)置有第一T形凹槽和第二T形凹槽,第一T型凹槽內(nèi)設(shè)置有T型銅質(zhì)密封圈3,第二T型凹槽內(nèi)設(shè)置有橡膠密封圈2,緊貼反應(yīng)倉(cāng)外壁12內(nèi)側(cè)還設(shè)置有高溫加熱器5,高溫加熱器5對(duì)倉(cāng)體1進(jìn)行加熱時(shí),T型銅質(zhì)密封圈3受熱膨脹體積變大,與第一T形凹槽和上蓋11嚴(yán)密的貼合。
在一些實(shí)施例,倉(cāng)體1底部還設(shè)置有用于調(diào)節(jié)倉(cāng)內(nèi)真空度的真空截流閥4。
在一些實(shí)施例,反應(yīng)倉(cāng)外壁12還設(shè)置有至少一個(gè)觀察窗10。
在一些實(shí)施例,倉(cāng)體1還設(shè)置有用于輸入保護(hù)氣體的第一通道7和用于催化劑混合氣體的第二通道9。
在一些實(shí)施例,第一通道7輸入的保護(hù)氣體為惰性氣體。
該反應(yīng)倉(cāng)密封的真空鍍膜機(jī)的工作原理為:
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的





