[實用新型]一種四氯化硅源恒溫蒸發瓶有效
| 申請號: | 201720770923.4 | 申請日: | 2017-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN207774816U | 公開(公告)日: | 2018-08-28 |
| 發明(設計)人: | 陸時躍;徐年惠;簡青青;從書 | 申請(專利權)人: | 中國振華集團永光電子有限公司(國營第八七三廠) |
| 主分類號: | C01B33/03 | 分類號: | C01B33/03 |
| 代理公司: | 貴陽派騰陽光知識產權代理事務所(普通合伙) 52110 | 代理人: | 谷慶紅 |
| 地址: | 550018 貴州省*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蒸發室 進氣管 四氯化硅 氫氣 蒸發瓶 本實用新型 出氣室 儲液室 下端 蒸發 外延生長系統 室內 工藝要求 聯絡管道 連接導通 生產作業 雙層結構 外延工藝 攜帶 出氣 上端 出氣管 石英瓶 同軸心 蒸發源 伸入 流出 | ||
本實用新型提供了一種四氯化硅源恒溫蒸發瓶,包括儲液室、蒸發室、進氣管、出氣室;所述蒸發室安裝在儲液室的下端通過聯絡管道連接導通,所述出氣室設置在蒸發室的上端中部,所述進氣管設置在出氣室內且其下端伸入蒸發室內。本實用新型通過進氣管使氫氣進出蒸發室,進氣管和出氣管形成同軸心雙層結構,氫氣從頂部通過該結構進入底部蒸發室攜帶出蒸發源并流出石英瓶。該蒸發瓶可滿足工藝要求的四氯化硅0℃恒溫蒸發,并由氫氣攜帶進入外延生長系統進行生產作業,提高了外延工藝穩定性。
技術領域
本實用新型涉及一種四氯化硅源恒溫蒸發瓶。
背景技術
車間外延工序生產工藝為將雜質摻入四氯化硅作為生長源,利用氫氣攜帶在0~2℃下蒸發出的雜質源氣體一起進入高溫石英爐進行化學反應完成外延生長作業。原有四氯化硅源盛放裝置由于設計不合理導致源恒溫不穩定和蒸發不均勻,影響了產品外延生長質量。
實用新型內容
為解決上述技術問題,本實用新型提供了一種四氯化硅源恒溫蒸發瓶。
本實用新型通過以下技術方案得以實現。
本實用新型提供的一種四氯化硅源恒溫蒸發瓶,包括儲液室、蒸發室、進氣管、出氣室;所述蒸發室安裝在儲液室的下端通過聯絡管道連接導通,所述出氣室設置在蒸發室的上端中部,所述進氣管設置在出氣室內且其下端伸入蒸發室內。
所述蒸發室的內還設置有恒液管與儲液室連接導通。
所述儲液室上端設置有進液口。
所述進氣管的下端為喇叭口。
所述出氣室設置在儲液室內,出氣室的上端伸出儲液室外且設置有出氣口。
所述進氣管的上端伸出出氣室外與氫氣源連接。
所述聯絡管道和恒液管的下端距蒸發室的底面距離均為蒸發室高度的1/6,所述恒液管的上端設置在儲液室內且距儲液室的頂端距離為儲液室高度的1/7。
本實用新型的有益效果在于:通過進氣管使氫氣進出蒸發室,進氣管和出氣管形成同軸心雙層結構,氫氣從頂部通過該結構進入底部蒸發室攜帶出蒸發源并流出石英瓶。該蒸發瓶可滿足工藝要求的四氯化硅0℃恒溫蒸發,并由氫氣攜帶進入外延生長系統進行生產作業,提高了外延工藝穩定性。
附圖說明
圖1是本實用新型的結構示意圖;
圖中:1-儲液室,2-蒸發室,3-進氣管,4-出氣室,5-進液口,6-聯絡管道,7-恒液管,8-出氣口。
具體實施方式
下面進一步描述本實用新型的技術方案,但要求保護的范圍并不局限于所述。
1、一種四氯化硅源恒溫蒸發瓶,包括儲液室1、蒸發室2、進氣管3、出氣室4;所述蒸發室2安裝在儲液室1的下端通過聯絡管道6連接導通,所述出氣室4設置在蒸發室2的上端中部,所述進氣管3設置在出氣室4內且其下端伸入蒸發室2內。通過進氣管使氫氣進出蒸發室,進氣管和出氣管形成同軸心雙層結構,氫氣從頂部通過該結構進入底部蒸發室攜帶出蒸發源并流出石英瓶。該蒸發瓶可滿足工藝要求的四氯化硅0℃恒溫蒸發,并由氫氣攜帶進入外延生長系統進行生產作業。
所述蒸發室2的內還設置有恒液管7與儲液室1連接導通。
所述儲液室1上端設置有進液口5。
所述進氣管3的下端為喇叭口。
所述出氣室4設置在儲液室1內,出氣室4的上端伸出儲液室1外且設置有出氣口8。
所述進氣管3的上端伸出出氣室4外與氫氣源連接。
所述聯絡管道6和恒液管7的下端距蒸發室2的底面距離均為蒸發室2高度的1/6,所述恒液管7的上端設置在儲液室1內且距儲液室1的頂端距離為儲液室1高度的1/7。儲液室1儲存了液體后,將進液口5封閉,當恒液管7底端設置為斜口當蒸發室內的液面將恒液管下端出口封閉時,儲液室1內沒有空氣進入儲液室1內,使儲液室1內的液體不會進入蒸發室,只有當蒸發室2內的液體被蒸發后露出恒液管7的下端出口,儲液室內的液體才會進入蒸發室內,使蒸發室內的液體液位始終處于恒定狀態。
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