[實(shí)用新型]一種集成式熱敏電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720758061.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN206905928U | 公開(公告)日: | 2018-01-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李冠華;顏丹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市刷新智能電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01K7/22 | 分類號(hào): | G01K7/22;H01C7/00;H01C17/00;H01C17/065;H01C17/28;H01C17/30 |
| 代理公司: | 深圳市創(chuàng)富知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司44367 | 代理人: | 霍如肖 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 集成 熱敏 電路 | ||
1.一種集成式熱敏電路,其特征在于,包括兩層以上的陶瓷基層(1)和熱敏電阻單元(2),所述熱敏電阻單元(2)包括一體化設(shè)置的熱敏電阻材料制成的線狀體(21)和連接在所述線狀體(21)兩端的金屬材料制成的導(dǎo)線(22);
至少一個(gè)所述熱敏電阻單元(2)位于兩層所述陶瓷基層(1)之間。
2.如權(quán)利要求1所述集成式熱敏電路,其特征在于,所述線狀體(21)所在處的上部的陶瓷基層(1)的下部開設(shè)有與所述線狀體(21)對(duì)應(yīng)的第一線狀凹槽(11);或,
所述線狀體(21)所在處的下部的陶瓷基層(1)的上部開設(shè)有與所述線狀體(21)對(duì)應(yīng)的第二線狀凹槽(12)。
3.如權(quán)利要求1所述集成式熱敏電路,其特征在于,所述線狀體(21)所在處的上部的陶瓷基層(1)的下部開設(shè)有與所述線狀體(21)對(duì)應(yīng)的第一線狀凹槽(11),所述線狀體(21)所在處的下部的陶瓷基層(1)的上部開設(shè)有與所述線狀體(21)對(duì)應(yīng)的第二線狀凹槽(12)。
4.如權(quán)利要求1所述集成式熱敏電路,其特征在于,所述線狀體(21)的線寬為30~200μm,所述線狀體(21)的厚度為5~25μm,所述線狀體(21)的長度大于100μm。
5.如權(quán)利要求1所述集成式熱敏電路,其特征在于,所述熱敏電阻單元(2)的數(shù)量在2個(gè)以上,至少2個(gè)所述熱敏電阻單元(2)位于不同的層,不同的層中的“層”指陶瓷基層(1)的上部、下部或嵌入陶瓷基層(1)中。
6.如權(quán)利要求5所述集成式熱敏電路,其特征在于,至少2個(gè)所述熱敏電阻單元(2)對(duì)稱設(shè)置于所述某一陶瓷基層(1)的正反面。
7.如權(quán)利要求5所述集成式熱敏電路,其特征在于,所述陶瓷基層(1)的數(shù)量為N;
N大于等于3,N為奇數(shù),各層所述陶瓷基層(1)相對(duì)于中間層對(duì)稱設(shè)置,相對(duì)于所述中間層,至少2個(gè)所述熱敏電阻單元(2)對(duì)稱設(shè)置;
或,N大于等于2,N為偶數(shù),各層所述陶瓷基層(1)相對(duì)于幾何中間層對(duì)稱設(shè)置,相對(duì)于所述幾何中間層,至少2個(gè)所述熱敏電阻單元(2)對(duì)稱設(shè)置。
8.如權(quán)利要求5所述集成式熱敏電路,其特征在于,所述導(dǎo)線(22)和所述線狀體(21)結(jié)合處的重合長度在20μm以上;所述導(dǎo)線(22)和所述線狀體(21)的線寬差別在50%以下;
所述導(dǎo)線(22)和所述線狀體(21)結(jié)合處的所述導(dǎo)線(22)的寬度為所述導(dǎo)線(22)的其它部位的寬度的2倍以上。
9.如權(quán)利要求1所述集成式熱敏電路,其特征在于,所述陶瓷基層(1)的層數(shù)在3層以上;
表層的所述陶瓷基層(1)的基材厚度小于內(nèi)層的所述陶瓷基層(1)的厚度;
表層的所述陶瓷基層(1)的兩面印刷導(dǎo)通電路(3),所述導(dǎo)通電路(3)為焊盤、連接線路或焊盤和連接線路。
10.如權(quán)利要求1所述集成式熱敏電路,其特征在于,所述陶瓷基層(1)上設(shè)置有導(dǎo)通孔(4),所述導(dǎo)通孔(4)內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)電漿料。
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