[實用新型]一種DFN0603高密度框架有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720739588.1 | 申請日： | 2017-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN207116420U | 公開（公告）日： | 2018-03-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 羅天秀;樊增勇;崔金忠;李東;張明聰;許兵;李寧 | 申請（專利權(quán)）人： | 成都先進功率半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/495 | 分類號： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 四川力久律師事務(wù)所51221 | 代理人： | 王蕓,熊曉果 |
| 地址： | 611731 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 dfn0603 高密度 框架 | ||
1.一種DFN0603高密度框架，包括板狀結(jié)構(gòu)的矩形框架，其特征在于，在框架上設(shè)多個與DFN0603封裝結(jié)構(gòu)相適應(yīng)的芯片安裝部，每個芯片安裝部上均設(shè)有兩個芯片安置區(qū)，所述芯片安置區(qū)周圍設(shè)有延伸連筋，所述延伸連筋的寬度大于普通芯片安置區(qū)邊緣寬度，相鄰的芯片安裝部之間設(shè)有橫邊連接筋或豎邊連接筋。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，所述芯片安裝部為矩形，所有芯片安裝部的長邊與框架的短邊平行布置，相鄰芯片安裝部長邊之間的連筋為豎邊連接筋，短邊之間的連筋為橫邊連接筋。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，在每個豎邊連接筋的中部設(shè)有貫穿框架的豎邊分隔槽，所述豎邊分隔槽與橫邊連接筋平行。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，被豎邊分隔槽分開的豎邊連接筋之間設(shè)置豎向連接塊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，在豎向連接塊上還設(shè)有豎向掏空槽，所述豎向連接塊設(shè)置于相鄰芯片安裝部之間的中心位置，且與芯片安裝部長邊平行。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，所述豎向掏空槽延伸至豎邊連接筋邊緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，相鄰橫邊連接筋之間連有橫向連接塊，所述橫向連接塊上設(shè)有貫穿框架的橫向掏空槽，所述橫向連接塊和橫向掏空槽均與芯片安裝部短邊平行，所述橫向連接塊設(shè)置在相鄰芯片安裝部的中心位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，所述橫向掏空槽往框架短邊方向延伸，并延伸至框架的邊緣。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，在框架的邊框和布置芯片的區(qū)域之間設(shè)置有一圈邊框切割道，包括橫向邊框切割道和豎向邊框切割道，在橫向邊框切割道和豎向邊框切割道上設(shè)有與芯片安裝部之間的切割位置對應(yīng)的切割對準(zhǔn)線槽。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，所述豎向邊框切割道和橫向邊框切割道上還設(shè)有間隔設(shè)置的半腐蝕區(qū)域。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于成都先進功率半導(dǎo)體股份有限公司，未經(jīng)成都先進功率半導(dǎo)體股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201720739588.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
