[實用新型]一種DFN3030?8A高密度框架有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720738867.6 | 申請日: | 2017-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN206849836U | 公開(公告)日: | 2018-01-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 羅天秀;樊增勇;崔金忠;李東;張明聰;許兵;李寧 | 申請(專利權(quán))人: | 成都先進功率半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/495 | 分類號: | H01L23/495 |
| 代理公司: | 四川力久律師事務所51221 | 代理人: | 王蕓,熊曉果 |
| 地址: | 611731 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 dfn3030 高密度 框架 | ||
1.一種DFN3030-8A高密度框架,包括矩形片狀結(jié)構(gòu)的框架,其特征在于,在框架上設有多個與DFN3030-8A封裝結(jié)構(gòu)相適應的的芯片安裝部,所述芯片安裝部包括芯片安置區(qū)和引腳焊接槽,在每個芯片安裝部內(nèi)包括8個相互獨立的引腳焊接槽,其中4個引腳焊接槽為一組對稱設置在芯片安置區(qū)的兩側(cè),同組的4個引腳焊接槽并排布置于靠近芯片安裝部同條側(cè)邊的框架上,在靠近芯片安裝部邊緣的引腳焊接槽上還設有引腳槽固定筋,所述引腳槽固定筋與芯片安裝部之間的加強連筋相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DFN3030-8A高密度框架,其特征在于,所述引腳焊接槽內(nèi)設有槽底腐蝕槽,并延伸出芯片安裝部的側(cè)邊,相鄰芯片安裝部的引腳焊接槽對應設置,使對應的引腳焊接槽內(nèi)的槽底腐蝕槽連通,所述槽底腐蝕槽為半腐蝕槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DFN3030-8A高密度框架,其特征在于,在芯片安置區(qū)上設有芯片區(qū)固定筋,所述芯片區(qū)固定筋延伸出芯片安裝部、并與芯片安裝部之間的加強連筋相連,所述芯片區(qū)固定筋與引腳焊接槽錯位布置在芯片安裝部上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的DFN3030-8A高密度框架,其特征在于,在芯片安置區(qū)的一側(cè)設有3根芯片區(qū)固定筋,另一側(cè)對稱設置另外3根芯片區(qū)固定筋。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的DFN3030-8A高密度框架,其特征在于,所述加強連筋為設置于相鄰芯片安裝部之間的橫向連接筋和豎向連接筋,所述橫向連接筋兩側(cè)分別與同組的4個引腳焊接槽相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的DFN3030-8A高密度框架,其特征在于,在所有橫向連接筋和豎向連接筋交叉的位置均設有十字連接筋,所述十字連接筋延伸至與芯片區(qū)固定筋交叉的位置,在相鄰兩個十字連接筋之間的豎向連接筋上還設有連筋空槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6之一所述的DFN3030-8A高密度框架,其特征在于,所述橫向連接筋和豎向連接筋的寬度小于0.13mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6之一所述的DFN3030-8A高密度框架,其特征在于,在布置芯片的區(qū)域和邊框之間還設有一圈邊框切割道,包括橫向邊框切割道和豎向邊框切割道,在橫向邊框切割道和豎向邊框切割道上間隔挖有多個空槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的DFN3030-8A高密度框架,其特征在于,在橫向邊框切割道和豎向邊框切割道上均設有用于相鄰芯片安裝部切割的切割定位槽。
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