[實用新型]一種DFN2020?3高密度框架

有效

• 申請號: 201720738416.2
• 申請日: 2017-06-23
• 公開（公告）號: CN206849835U
• 公開（公告）日: 2018-01-05
• 發明（設計）人: 羅天秀;樊增勇;崔金忠;李東;張明聰;許兵;李寧
• 申請（專利權）人: 成都先進功率半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 四川力久律師事務所51221
• 代理人: 王蕓,熊曉果

1.一種DFN2020-3高密度框架，包括矩形片狀結構的框架，其特征在于，在框架上設有多個與DFN2020-3封裝結構相適應的芯片安裝部，所述芯片安裝部包括芯片安置區和引腳安裝槽，在每個芯片安裝部內設有兩個引腳安裝槽，且設有將兩個引腳安裝槽連接的引腳槽連接板，所述引腳安裝槽延伸并連接至芯片安裝部之間設置的加強連筋上，所述芯片安置區周圍設有芯片區支撐連筋，所述芯片區支撐連筋與芯片安裝部之間設置的加強連筋相連。

2.根據權利要求1所述的DFN2020-3高密度框架，其特征在于，所述引腳槽連接板和芯片安置區之間留有極性分隔間隙。

3.根據權利要求1所述的DFN2020-3高密度框架，其特征在于，在每個芯片安裝部的芯片安置區周圍設有至少4個加強連筋，均分為2組對稱設置于芯片安置區的兩側邊。

4.根據權利要求1所述的DFN2020-3高密度框架，其特征在于，在相鄰的芯片安裝部之間的切割道寬度尺寸小于0.20mm。

5.根據權利要求4所述的DFN2020-3高密度框架，其特征在于，所述切割道分別為橫向連接筋和豎向連接筋，所述橫向連接筋和豎向連接筋的寬度小于0.13mm。

6.根據權利要求5所述的DFN2020-3高密度框架，其特征在于，在芯片安裝部的四個角上均設有十字連接筋，所述十字連接筋設置在豎向連接筋和橫向連接筋交叉的位置。

7.根據權利要求1-6之一所述的DFN2020-3高密度框架，其特征在于，在框架的邊框和布置芯片的區域之間設置有一圈邊框護架，所述邊框護架為半腐蝕結構，在邊框護架上間隔設有鏤空槽。

8.根據權利要求7所述的DFN2020-3高密度框架，其特征在于，靠近邊框的芯片安裝部與邊框護架連接，該芯片安裝部的芯片區支撐連筋延伸至邊框護架上。

9.根據權利要求7所述的DFN2020-3高密度框架，其特征在于，在邊框護架和邊框之間還設有一圈邊框切割道，包括橫向邊框切割道和豎向邊框切割道，在橫向邊框切割道和豎向邊框切割道上間隔挖有多個空槽。

10.根據權利要求9所述的DFN2020-3高密度框架，其特征在于，在橫向邊框切割道和豎向邊框切割道上均設有用于相鄰芯片安裝部切割的定位槽。