[實(shí)用新型]利用MOCVD尾氣制氫的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720732974.8
• 申請日: 2017-06-22
• 公開（公告）號: CN207227005U
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉祥林;羅湘桂;鮑堅(jiān)仁;吳福水
• 申請（專利權(quán)）人: 湖南高安新材料有限公司
• 主分類號: C01B3/56
• 分類號: C01B3/56
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司11257
• 代理人: 趙曉丹

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及發(fā)光二極管制備技術(shù)領(lǐng)域。更具體地，涉及一種利用MOCVD尾氣制氫的裝置。

背景技術(shù)

在MOCVD生產(chǎn)LED中，MOCVD設(shè)備一方面需要大量的氫氣供應(yīng)，另一方面有大量排出含有氫氣的尾氣。由于MOCVD設(shè)備排出的尾氣中含有氨氣，目前人們最常采用的方法是用水吸收氨氣來處理尾氣，然后直接放空，這些含氫尾氣大量排放到空氣中，一方面造成資源浪費(fèi)，另一方面也會給生產(chǎn)廠區(qū)造成火災(zāi)隱患。

經(jīng)過水吸收后的尾氣，主要有以下氣體成分(按比例排序)：氮?dú)?60～80％)、氫氣(15～35％)、水汽(～3％)、氨氣(～1％)、其它所有雜質(zhì)(～1％)。以上比例只是大致估算，實(shí)際上有可能有較大的出入，而且與LED生產(chǎn)廠家的工藝參數(shù)相關(guān)。如何能采用簡單的裝置、方法，有效循環(huán)利用這些氫氣，一直是LED生產(chǎn)廠家需要考慮的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容

針對以上問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種利用MOCVD尾氣制氫的裝置。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用下述技術(shù)方案：

利用MOCVD尾氣制氫的裝置，所述裝置包含：氣體壓縮機(jī)、第一變溫吸附凈化設(shè)備、第一變壓吸附提氫器和氣體二次純化裝置；

其中，所述氣體壓縮機(jī)、第一變溫吸附凈化設(shè)備、第一變壓吸附提氫器和氣體二次純化裝置依次連接。

優(yōu)選地，所述氣體二次純化裝置由第二變溫吸附凈化設(shè)備和/或第二變壓吸附提氫器組成；

其中，當(dāng)所述氣體二次純化裝置由第二變溫吸附凈化設(shè)備和第二變壓吸附提氫器組成時，所述第一變壓吸附提氫器、第二變溫吸附凈化設(shè)備和第二變壓吸附提氫器依次連接；或，所述第一變壓吸附提氫器、第二變壓吸附提氫器和第二變溫吸附凈化設(shè)備依次連接。

優(yōu)選地，所述裝置還包含：靶觸媒催化反應(yīng)裝置，所述靶觸媒催化反應(yīng)裝置設(shè)于第二變溫吸附凈化設(shè)備內(nèi)。

優(yōu)選地，所述第一變壓吸附提氫器上設(shè)有解析氣出口，第一變溫吸附凈化設(shè)備上設(shè)有再生進(jìn)氣口；所述第一變壓吸附提氫器的解析氣出口與第一變溫吸附凈化設(shè)備的再生進(jìn)氣口連接。

優(yōu)選地，所述第二變壓吸附提氫器上設(shè)有解析氣出口；第二變壓吸附提氫器的解析氣出口與氣體壓縮機(jī)的進(jìn)氣口連接。

優(yōu)選地，所述氣體壓縮機(jī)的壓力范圍為8～50bar。

本實(shí)用新型的有益效果如下：

本實(shí)用新型裝置結(jié)構(gòu)簡單、成本低，便于LED生產(chǎn)廠家使用。

此外，本實(shí)用新型利用MOCVD尾氣制氫的效率高且制氫的雜質(zhì)少，不僅解決了MOCVD尾氣排放造成的環(huán)境污染問題，還能將制得的氫用作MOCVD原料氣使用。

附圖說明

下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

圖1為實(shí)施例1的利用MOCVD尾氣制氫的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為實(shí)施例2的利用MOCVD尾氣制氫的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了更清楚地說明本實(shí)用新型，下面結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例和附圖對本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說明。附圖中相似的部件以相同的附圖標(biāo)記進(jìn)行表示。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，下面所具體描述的內(nèi)容是說明性的而非限制性的，不應(yīng)以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

為了進(jìn)一步說明本實(shí)用新型的內(nèi)容，以下對其中的一些技術(shù)名詞作進(jìn)一步解釋：

本實(shí)用新型所述的“MOCVD尾氣”，是指在LED生產(chǎn)過程中，MOCVD設(shè)備排出的尾氣通過水吸收裝置后得到的含氫尾氣，即這些氣體是已經(jīng)過水吸收裝置后，其中大部分氨氣已被水吸收掉的氣體，而不是由MOCVD設(shè)備直接排出來的氣體。其中“水吸收裝置”在LED生產(chǎn)廠家經(jīng)常使用，屬于成熟技術(shù)，不屬于本實(shí)用新型的內(nèi)容。MOCVD尾氣中主要由以下氣體成分(按比例排序)：氮?dú)?60～80％)、氫氣(15～35％)、水汽(～3％)、氨氣(～1％)、其它所有雜質(zhì)(～1％)。以上比例只是大致估算，實(shí)際上有可能有較大的出入，而且與LED生產(chǎn)廠家的工藝參數(shù)相關(guān)。

本實(shí)用新型所述的“MOCVD”，是英文Metal Organic Chemical Vapor Deposition的縮寫，中文意思是“金屬有機(jī)物化學(xué)氣相外延”。MOCVD是LED廠家最關(guān)鍵的設(shè)備。

本實(shí)用新型所述的“LED”，是英文Light Emitting Diode的縮寫，中文意思是“光發(fā)射二極管”或者“發(fā)光二極管”。尤其指氮化鎵材料的藍(lán)光、綠光、紫光(紫外)、白光發(fā)光二極管。