[實(shí)用新型]一種電子元件生產(chǎn)的離子注入裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720725315.1
• 申請(qǐng)日: 2017-06-21
• 公開（公告）號(hào): CN206961791U
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐月苗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 諸暨越博企業(yè)管理咨詢有限公司
• 主分類號(hào): H01J37/317
• 分類號(hào): H01J37/317;H01J37/14;H01J37/20;H01J37/09
• 代理公司: 濮陽華凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)41136
• 代理人: 王傳明

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電子元件生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種電子元件生產(chǎn)的離子注入裝置。

背景技術(shù)

離子注入是指當(dāng)真空中有一束離子束射向一塊固體材料時(shí)，離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面，這個(gè)現(xiàn)象叫做濺射；而當(dāng)離子束射到固體材料時(shí)，從固體材料表面彈了回來，或者穿出固體材料而去，這些現(xiàn)象叫做散射；另外有一種現(xiàn)象是，離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，并最終停留在固體材料中的這一現(xiàn)象。

申請(qǐng)?zhí)枮?01521074217.3，名稱為離子注入裝置的實(shí)用新型專利，包括用于發(fā)生離子束的離子源、質(zhì)量分析單元、遮擋單元和基板，質(zhì)量分析單元設(shè)置于離子束發(fā)射方向上，且質(zhì)量分析單元的入口與離子束相對(duì)，對(duì)射入質(zhì)量分析單元進(jìn)行分選，質(zhì)量分析單元的側(cè)壁上還設(shè)置有分析狹縫，離子束經(jīng)過分選后射出質(zhì)量分析單元；遮擋單元設(shè)置于質(zhì)量分析單元上，且與分析狹縫共處于同一側(cè)壁上，遮擋單元可緊貼側(cè)壁移動(dòng)，能夠遮擋經(jīng)由分析狹縫射出的離子束；基板設(shè)置于與分析狹縫相對(duì)的位置；本實(shí)用新型的離子注入裝置通過在質(zhì)量分析單元的分析狹縫處設(shè)置遮擋單元，來調(diào)整射出分析狹縫的離子束的寬度，從而調(diào)整射出分析狹縫的離子束劑量，從而實(shí)現(xiàn)了連續(xù)離子注入過程中對(duì)注入劑量進(jìn)行自動(dòng)調(diào)整。

但是目前很多的電子元件在進(jìn)行離子注入加工的時(shí)候，很多的晶片容易注入過多的離子，而且離子的分散不均勻，因此設(shè)計(jì)了一種電子元件生產(chǎn)的離子注入裝置。

實(shí)用新型內(nèi)容

為了克服現(xiàn)有技術(shù)方案的不足，本實(shí)用新型提供一種電子元件生產(chǎn)的離子注入裝置，通過對(duì)離子注入裝置進(jìn)行結(jié)構(gòu)改進(jìn)，利用磁鏡來穩(wěn)定離子束，使得離子在注入過程中更加均勻穩(wěn)定，采用晶片夾具來夾持晶片，使得晶片能夠穩(wěn)定接收離子束，避免離子注入過程中晃動(dòng)帶來的偏差，晶片夾具上的遮擋板位置可調(diào)，可實(shí)現(xiàn)均勻的注入分布，值得推廣。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種電子元件生產(chǎn)的離子注入裝置，包括離子源，所述離子源上端安裝有離子噴槍，所述離子源上端連接有離子通道，所述離子通道上設(shè)置有離子過濾孔隙，所述離子過濾孔隙右端設(shè)置有聚焦器，所述聚焦器右端設(shè)置有磁鏡，所述磁鏡右端連接有離子加速器，所述離子加速器內(nèi)設(shè)置有晶片夾具；

所述晶片夾具包括基板，所述基板內(nèi)設(shè)置有晶片插槽，所述基板內(nèi)設(shè)置有若干個(gè)遮擋凹槽，所述遮擋凹槽內(nèi)插入遮擋板，所述遮擋板與遮擋凹槽可拆卸連接。

作為本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述聚焦器右端設(shè)置有兩個(gè)靜電偏轉(zhuǎn)器，所述靜電偏轉(zhuǎn)器相互平行設(shè)置。

作為本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述離子通道內(nèi)設(shè)置有折射段，所述折射段為圓弧形結(jié)構(gòu)。

作為本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述聚焦器內(nèi)部設(shè)置有四個(gè)聚焦磁鐵。

作為本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述晶片插槽內(nèi)部設(shè)置有硅膠墊片，所述硅膠墊片上設(shè)置有防滑紋路。

作為本實(shí)用新型一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述基板下端設(shè)置有旋轉(zhuǎn)軸。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：通過對(duì)離子注入裝置進(jìn)行結(jié)構(gòu)改進(jìn)，利用磁鏡來穩(wěn)定離子束，使得離子在注入過程中更加均勻穩(wěn)定，采用晶片夾具來夾持晶片，使得晶片能夠穩(wěn)定接收離子束，避免離子注入過程中晃動(dòng)帶來的偏差，晶片夾具上的遮擋板位置可調(diào)，可實(shí)現(xiàn)均勻的注入分布，值得推廣。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型晶片夾具結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1-離子源，2-離子噴槍，3-離子通道，4-離子過濾孔隙，5-聚焦器，6-磁鏡，7-離子加速器，8-晶片夾具，9-基板，10-晶片插槽，11-遮擋凹槽，12-遮擋板，13-靜電偏轉(zhuǎn)器，14-折射段，15-聚焦磁鐵，16-硅膠墊片，17-防滑紋路，18-旋轉(zhuǎn)軸。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

實(shí)施例：