[實用新型]一種抗金屬遷移的LED芯片

有效

• 申請號: 201720723480.3
• 申請日: 2017-06-21
• 公開（公告）號: CN206907786U
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發明（設計）人: 葛玉龍;莊家銘
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/36
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司44202
• 代理人: 胡楓

技術領域

本實用新型涉及一種發光二極管技術領域，尤其涉及一種抗金屬遷移的LED芯片。

背景技術

LED（Light Emitting Diode，發光二極管）是一種利用載流子復合時釋放能量形成發光的半導體器件，LED芯片具有耗電低、色度純、壽命長、體積小、響應時間快、節能環保等諸多優勢。

其中，LED芯片在封裝過程中，封裝方式、封裝時的材料以及封裝環境對LED芯片的性能都存在較大的影響。在LED芯片的封裝過程中，水氣滲入不可避免，導致封裝材料內部導線與芯片電極發生水解變質，出現金屬遷移，使LED芯片表面析出導電金屬材質，進而使LED芯片的正負電極導通，引起漏電；另外，水汽滲入的導電離子駐留在LED芯片的表面，增加漏電風險，從而影響LED芯片的光電性能。

現有技術只能在封裝過程中，通過減少水汽的滲入，增加遷移金屬的導通距離，避免在高頻高刷的使用環境下，因水解原因影響LED芯片的光電性能。

發明內容

本實用新型所要解決的技術問題在于，提供一種抗金屬遷移的LED芯片，通過對LED芯片金屬電極進行表面包覆，防止水汽滲入，延長導線、金屬電極因發生水解反應使正負極導通的距離，避免LED芯片漏電，延長LED芯片使用壽命。

一種抗金屬遷移的LED芯片包括：

襯底；

位于襯底表面的緩沖層和發光結構，所述發光結構包括從下往上依次排列的第一半導體層、有源層和第二半導體層；

位于第一半導體層表面的第一電極；

位于所述第二半導體層表面的透明導電層；

位于所述透明導電層表面的第二電極；

位于所述第一電極表面和所述第二電極表面的電極粘附層；

覆蓋在發光結構、透明導電層、第一電極和第二電極上的絕緣層；

貫穿所述絕緣層和所述電極粘附層，在所述第一電極表面的第一孔洞，在所述第二電極表面的第二孔洞。

優選的，所述第一電極和所述第二電極的材料為Cr、Ni、Al、Ti、Au、Pt、W、Pb、Rh、Sn、Cu、Ag中的一種或以上幾種金屬。

優選的，所述電極粘附層的材料為Ni、Al、Ti中的一種或以上幾種金屬。

實施本實用新型，具有如下有益效果：

1、本實用新型提供的一種抗金屬遷移的LED芯片，在電極表面形成電極粘附層，然后形成絕緣層，所述絕緣層通過所述電極粘附層與所述第一電極和所述第二電極形成連接，保護所述第一電極和所述第二電極，減少水汽滲入，并延長正負極導通距離，有效增加了LED芯片在高頻高刷環境下的使用壽命。

2、本實用新型提供的一種抗金屬遷移的LED芯片，在第一電極表面形成第一孔洞，在第二電極表面形成第二孔洞，使第一電極和第二電極暴露出來，在后續的封裝過程中，封裝的內部導線通過所述第一孔洞與第一電極形成連接，通過所述第二孔洞與所述第二電極形成連接，所述第一孔洞與所述第二孔洞的側壁具有絕緣層保護，直接在LED芯片的制作過程中減少水汽的滲入，無需改進封裝環境。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例的一種抗金屬遷移的LED芯片的制作方法流程圖；

圖2a為本實用新型實施例的LED芯片形成緩沖層和發光結構的結構示意圖；

圖2b為本實用新型實施例的LED芯片形成透明導電層的結構示意圖；

圖2c為本實用新型實施例的LED芯片形成第一裸露區域和第二裸露區域的結構示意圖；

圖2d為本實用新型實施例的LED芯片形成LED芯片半成品的結構示意圖；

圖2e為本實用新型實施例的LED芯片形成第一電極、第二電極和電極粘附層的結構示意圖；

圖2f為本實用新型實施例的LED芯片形成第一孔洞和第二孔洞的結構示意圖；

圖3a為本實用新型實施例的發光微結構形成形成正性光刻膠層的結構示意圖；

圖3b為本實用新型實施例的發光微結構形成正性光刻膠層縱向截面的側邊與所述第二半導體層的線面角θ的結構示意圖；

圖3c為本實用新型實施例的發光微結構形成預留區域的結構示意圖；

圖4為本實用新型實施例的一種抗金屬遷移的LED芯片的結構示意圖。

具體實施方式

為使本實用新型的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本實用新型作進一步地詳細描述。

本實用新型提供了一種抗金屬遷移的LED芯片的制作方法，其流程圖如圖1所示，包括以下步驟：

S1：提供一襯底；