[實用新型]半導體封裝及半導體封裝組件

有效

• 申請號: 201720710606.3
• 申請日: 2017-06-19
• 公開（公告）號: CN206976327U
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發明（設計）人: 金何松;古永炳;康德本;李宰金;金俊東;金東尚
• 申請（專利權）人: 艾馬克科技公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552
• 代理公司: 北京寰華知識產權代理有限公司11408
• 代理人: 林柳岑

技術領域

本實用新型涉及半導體封裝及半導體封裝組件。

背景技術

各種電子設備可包括具有各種結構的半導體裝置以及電子裝置以用于交換各種訊號，其中半導體裝置和電子裝置在操作期間會發射電磁波。

電磁波會干擾半導體裝置和電子裝置的操作，因為這些裝置會非常靠近地一起安裝在主機板上。據此，屏蔽電磁波的結構和/或方法是有需要的。

通過比較這些系統與如在本申請中參照附圖的其余部分闡述的本實用新型的某些態樣，對于本領域的技術人員而言，常規和傳統方法的進一步限制和缺點將變得顯而易見。

實用新型內容

本實用新型的半導體封裝以及其制造方法大致上示于附圖的至少一者中和/或結合附圖的至少一者來描述，并在權利要求書中進行更完整的闡述。

本實用新型的各種優點、態樣和新穎性特征，以及其實施例所例示的細節，將從下面的描述和附圖而更充分地理解。

一種半導體封裝組件，其包括：基板；第一半導體裝置，其附接至所述基板的頂部；囊封物，其囊封所述第一半導體裝置；溝槽，其形成在所述囊封物中；以及屏蔽層，其形成在所述囊封物的表面上。進一步地，其中所述基板包括：第一基板部分，其包括第一傳導結構和第一介電結構；以及第二基板部分，其包括第二傳導結構和第二介電結構。進一步地，其包括：傳導凸塊，其形成在所述第一基板部分上。進一步地，其包括：高度小于所述傳導凸塊的第二半導體裝置，其被附接至所述第一基板部分。進一步地，其中所述溝槽被形成以穿過所述囊封物和所述基板。進一步地，其中所述屏蔽層被形成在所述囊封物的頂表面、所述囊封物的側表面以及所述基板的側表面上。進一步地，其中所述屏蔽層被形成在所述溝槽的底部上并且被電性連接至所述基板的接地。進一步地，其中所述基板是具有核心的印刷電路板。進一步地，其包括：傳導凸塊，其形成在所述基板上。進一步地，其中所述溝槽被形成以穿過所述囊封物和所 述基板。進一步地，其包括：黏合構件，其被附接至所述基板，以包圍所述傳導凸塊。

一種半導體封裝組件，其包括：第一基板部分；半導體裝置，其被附接至所述第一基板部分的頂側；囊封物，其囊封所述半導體裝置；溝槽，其形成在所述囊封物中；屏蔽層，其形成在所述囊封物的表面上；以及第二基板部分，其形成在所述第一基板部分上。進一步地，其中所述第一基板部分包括傳導結構和介電結構。進一步地，其中所述溝槽被形成以穿過所述囊封物以及所述第一基板部分。進一步地，其中所述屏蔽層被形成在所述囊封物的頂表面、所述囊封物的側表面、所述第一基板部分的側表面以及所述溝槽的底部上。進一步地，其中所述屏蔽層被電性連接至所述第一基板部分和所述第二基板部分中的一或兩者的接地。進一步地，其包括：光阻材料，其被注入到所述溝槽中。進一步地，其包括：傳導凸塊，其被形成于所述第二基板部分上。

一種半導體封裝，其包括：基板；半導體裝置，其被附接至所述基板；囊封物，其囊封在所述基板上的所述半導體裝置；以及屏蔽層，其被形成于所述囊封物的表面上。進一步地，其中所述屏蔽層被形成在所述囊封物的頂表面、所述囊封物的側表面以及所述基板的側表面上。進一步地，其中所述屏蔽層被電性連接至所述基板的接地。

附圖說明

圖1A至圖1J是根據本實用新型的實施例依序地例示半導體封裝的制造方法的制程步驟的截面圖。

圖2A至圖2H是根據本實用新型的另一實施例依序地例示半導體封裝的制造方法的制程步驟的截面圖。

圖3A至圖3G是根據本實用新型的又另一實施例依序地例示半導體封裝的制造方法的制程步驟的截面圖。

具體實施方式

本實用新型的實施例不應被解釋為限于本文所闡述的描述。相反地，這些實施例被提供作示例(諸如但不限于，一形狀所投影的表面的變化、投影到此表面上的入射角的變化、所投影的元件的性質和結構的變化等等)，以使本實用新型更為詳盡和完整，并且將向本領域技術人員充分地表達本實用新型的范圍。所附權利要求書說明本實用新型的一些實施例。

在以下討論中，“舉例而言”、“例如”、“范例性”等詞是非限制性的，并且一般而言與“舉例來說而無限制”、“舉例而言且無限制”和類似者同義。