[實用新型]半導體封裝及半導體封裝組件有效
| 申請號: | 201720710606.3 | 申請日: | 2017-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN206976327U | 公開(公告)日: | 2018-02-06 |
| 發明(設計)人: | 金何松;古永炳;康德本;李宰金;金俊東;金東尚 | 申請(專利權)人: | 艾馬克科技公司 |
| 主分類號: | H01L23/552 | 分類號: | H01L23/552 |
| 代理公司: | 北京寰華知識產權代理有限公司11408 | 代理人: | 林柳岑 |
| 地址: | 美國亞利桑那*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 組件 | ||
1.一種半導體封裝組件,其特征在于,其包括:
基板;
第一半導體裝置,其附接至所述基板的頂部;
囊封物,其囊封所述第一半導體裝置;
溝槽,其形成在所述囊封物中;以及
屏蔽層,其形成在所述囊封物的表面上。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝組件,其特征在于,所述基板包括:
第一基板部分,其包括第一傳導結構和第一介電結構;以及
第二基板部分,其包括第二傳導結構和第二介電結構。
3.根據權利要求2所述的半導體封裝組件,其包括:
傳導凸塊,其形成在所述第一基板部分上。
4.根據權利要求3所述的半導體封裝組件,其特征在于,其包括:高度小于所述傳導凸塊的第二半導體裝置,其被附接至所述第一基板部分。
5.根據權利要求1所述的半導體封裝組件,其中所述溝槽被形成以穿過所述囊封物和所述基板。
6.根據權利要求1所述的半導體封裝組件,其特征在于,所述屏蔽層被形成在所述囊封物的頂表面、所述囊封物的側表面以及所述基板的側表面上。
7.根據權利要求6所述的半導體封裝組件,其特征在于,所述屏蔽層被形成在所述溝槽的底部上并且被電性連接至所述基板的接地。
8.根據權利要求1所述的半導體封裝組件,其特征在于,所述基板是具有核心的印刷電路板。
9.根據權利要求1所述的半導體封裝組件,其特征在于,其包括:傳導凸塊,其形成于所述基板上。
10.根據權利要求9所述的半導體封裝組件,其特征在于,所述溝槽被形成以穿過所述囊封物和所述基板。
11.根據權利要求10所述的半導體封裝組件,其特征在于,其包括:
黏合構件,其被附接至所述基板,以包圍所述傳導凸塊。
12.一種半導體封裝組件,其特征在于,其包括:
第一基板部分;
半導體裝置,其被附接至所述第一基板部分的頂側;
囊封物,其囊封所述半導體裝置;
溝槽,其形成在所述囊封物中;
屏蔽層,其形成在所述囊封物的表面上;以及
第二基板部分,其形成在所述第一基板部分上。
13.根據權利要求12所述的半導體封裝組件,其特征在于,所述第一基板部分包括傳導結構和介電結構。
14.根據權利要求12所述的半導體封裝組件,其特征在于,所述溝槽被形成以穿過所述囊封物以及所述第一基板部分。
15.根據權利要求14所述的半導體封裝組件,其特征在于,所述屏蔽層被形成在所述囊封物的頂表面、所述囊封物的側表面、所述第一基板部分的側表面以及所述溝槽的底部上。
16.根據權利要求12所述的半導體封裝組件,其特征在于,所述屏蔽層被電性連接至所述第一基板部分和所述第二基板部分中的一或兩者的接地。
17.根據權利要求12所述的半導體封裝組件,其特征在于,其包括:光阻材料,其被注入到所述溝槽中。
18.根據權利要求12所述的半導體封裝組件,其特征在于,其包括:傳導凸塊,其被形成于所述第二基板部分上。
19.一種半導體封裝,其特征在于,其包括:
基板;
半導體裝置,其被附接至所述基板;
囊封物,其囊封在所述基板上的所述半導體裝置;以及
屏蔽層,其被形成在所述囊封物的表面上。
20.根據權利要求19所述的半導體封裝,其特征在于,所述屏蔽層被形成于所述囊封物的頂表面、所述囊封物的側表面以及所述基板的側表面上。
21.根據權利要求19所述的半導體封裝,其特征在于,所述屏蔽層被電性連接至所述基板的接地。
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