[實用新型]基于固態(tài)和空腔結(jié)合的薄膜體聲波諧振器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720692101.9 | 申請日: | 2017-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN207460113U | 公開(公告)日: | 2018-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王國浩;房華;張樹民;陳海龍;汪泉 | 申請(專利權(quán))人: | 王國浩 |
| 主分類號: | H03H9/02 | 分類號: | H03H9/02;H03H9/05;H03H9/10;H03H3/02 |
| 代理公司: | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人: | 李明 |
| 地址: | 200441 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 壓電薄膜換能器 布拉格反射層 固態(tài)封裝 刻蝕 薄膜 薄膜體聲波諧振器 本實用新型 背部空腔 堆疊結(jié)構(gòu) 沉積 空腔結(jié)構(gòu) 器件性能 器件正面 聲波反射 聲電轉(zhuǎn)換 壓電材料 傳統(tǒng)的 底電極 頂電極 堆疊器 反射層 穩(wěn)固性 支撐層 空腔 開口 傳播 | ||
本實用新型提出了一種全新的結(jié)合固態(tài)封裝型工藝和背部空腔型工藝的薄膜體聲波諧振器。通過先在器件正面沉積固態(tài)封裝型(SMR)的布拉格反射層薄膜,然后在反射層薄膜上面依次沉積并刻蝕底電極、壓電材料和頂電極,使之形成壓電薄膜換能器堆疊結(jié)構(gòu),最后在器件背部開口刻蝕形成空腔結(jié)構(gòu)。本實用新型有效避免了刻蝕時間對器件性能的影響,布拉格反射層加上背部空腔結(jié)構(gòu),能夠比傳統(tǒng)的固態(tài)封裝型(SMR)器件更加有效的將傳播的聲波反射回壓電薄膜換能器堆疊結(jié)構(gòu),從而提高聲電轉(zhuǎn)換的效率;布拉格反射層薄膜充當(dāng)壓電薄膜換能器堆疊器的支撐層,從結(jié)構(gòu)上能加強器件整體的穩(wěn)固性。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種薄膜體聲波諧振器,特別是涉及一種采用基于固態(tài)和空腔結(jié)合的薄膜體聲波諧振器及其制備方法。
背景技術(shù)
隨著無線通訊應(yīng)用的發(fā)展,人們對于數(shù)據(jù)傳輸速度的要求越來越高。在移動通信領(lǐng)域,第一代是模擬技術(shù),第二代實現(xiàn)了數(shù)字化語音通信,第三代(3G)以多媒體通信為特征,第四代(4G)將通信速率提高到1Gbps、時延減小到10ms,第五代(5G)是4G之后的新一代移動通信技術(shù),雖然5G的技術(shù)規(guī)范與標(biāo)準還沒有完全明確,但與3G、4G相比,其網(wǎng)絡(luò)傳輸速率和網(wǎng)絡(luò)容量將大幅提升。如果說從1G到4G主要解決的是人與人之間的溝通,5G將解決人與人之外的人與物、物與物之間的溝通,即萬物互聯(lián),實現(xiàn)“信息隨心至,萬物觸手及”的愿景。
與數(shù)據(jù)率上升相對應(yīng)的是頻譜資源的高利用率以及通訊協(xié)議的復(fù)雜化。由于頻譜有限,為了滿足數(shù)據(jù)率的需求,必須充分利用頻譜;同時為了滿足數(shù)據(jù)率的需求,從4G開始還使用了載波聚合技術(shù),使得一臺設(shè)備可以同時利用不同的載波頻譜傳輸數(shù)據(jù)。另一方面,為了在有限的帶寬內(nèi)支持足夠的數(shù)據(jù)傳輸率,通信協(xié)議變得越來越復(fù)雜,因此對射頻系統(tǒng)的各種性能也提出了嚴格的需求。
在射頻前端模塊中,射頻濾波器起著至關(guān)重要的作用。它可以將帶外干擾和噪聲濾除以滿足射頻系統(tǒng)和通訊協(xié)議對于信噪比的需求。隨著通信協(xié)議越來越復(fù)雜,對頻帶內(nèi)外的要求也越來越高,使得濾波器的設(shè)計越來越有挑戰(zhàn)。另外,隨著手機需要支持的頻帶數(shù)目不斷上升,每一款手機中需要用到的濾波器數(shù)量也在不斷上升。
目前射頻濾波器最主流的實現(xiàn)方式是聲表面波濾波器和基于薄膜體聲波諧振器技術(shù)的濾波器。聲表面波濾波器由于其自身的局限性,在1.5GHz以下使用比較合適。然而,目前的無線通訊協(xié)議已經(jīng)早就使用大于2.5GHz的頻段,這時必須使用基于薄膜體聲波諧振器技術(shù)的濾波器。
薄膜體聲波諧振器的結(jié)構(gòu)和制備方式已經(jīng)有很多。在以往的結(jié)構(gòu)和制備方式中,主要采用空腔型工藝(FBAR),包括表面犧牲層工藝和背部空腔刻蝕工藝,或者固態(tài)封裝工藝(SMR)。其中表面犧牲層工藝的難點在于如何將表面空腔內(nèi)的犧牲層材料徹底清除,使得器件最終沒有犧牲層殘留物的粘連;背部空腔刻蝕工藝的器件應(yīng)力較大,制備加工過程中容易產(chǎn)生裂縫,另外,背部刻蝕開口的控制(包括時間、角度等)也對器件有比較大的影響;基于固態(tài)封裝工藝的薄膜體聲波諧振器的制備過程較為簡單,但是由于聲波的反射依靠的是薄膜間的布拉格反射,其器件的質(zhì)量因子(Q值)不如基于空氣界面反射的空腔型薄膜體聲波諧振器。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提出了一種全新的結(jié)合固態(tài)封裝型工藝和背部空腔型工藝的薄膜體聲波諧振器及其制備方法。通過先在器件正面沉積固態(tài)封裝型(SMR)的布拉格反射層薄膜,然后在反射層薄膜上面依次沉積并刻蝕底電極、壓電材料和頂電極,使之形成壓電薄膜換能器堆疊結(jié)構(gòu),最后在器件背部開口刻蝕形成空腔結(jié)構(gòu)。
具體地,本實用新型的提出如下方案:
一種薄膜體聲波諧振器,其特征在于:包括基底、依次形成在所述基底第一表面的反射層結(jié)構(gòu)、壓電換能器堆疊結(jié)構(gòu);在與所述基底第一表面相對的第二表面上包括空腔;所述空腔與所述壓電換能器堆疊結(jié)構(gòu)相對設(shè)置,所述壓電換能器堆疊結(jié)構(gòu)包括底電極、壓電層、頂電極的三明治結(jié)構(gòu)。
進一步地,所述空腔停止在所述反射層結(jié)構(gòu)表面。
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