[實(shí)用新型]電磁信號(hào)屏蔽吸收膜有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720673391.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN207088648U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-03-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 田耕;楊露明;張念椿 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 廣州千順工業(yè)材料有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | B32B27/36 | 分類(lèi)號(hào): | B32B27/36;B32B27/08;B32B27/40;B32B27/18;B32B3/24;B32B7/10;B32B33/00;H05K9/00 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司44224 | 代理人: | 萬(wàn)志香 |
| 地址: | 510670 廣東省廣州市廣州*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電磁 信號(hào) 屏蔽 吸收 | ||
1.一種電磁信號(hào)屏蔽吸收膜,其特征在于,包括載體層、第一絕緣層、第一聚氨酯改性粘合屏蔽混雜層、第一聚氨酯改性粘接層、離型層、第二絕緣層、第二聚氨酯改性粘合屏蔽混雜層、第二聚氨酯改性粘接層和保護(hù)膜層;
所述第一絕緣層設(shè)在所述載體層的一側(cè)表面上,所述第一聚氨酯改性粘合屏蔽混雜層設(shè)在所述第一絕緣層的表面上,所述第一聚氨酯改性粘合屏蔽混雜層中至少靠近所述第一絕緣層的表面上均勻填充有信號(hào)屏蔽材料粉末或信號(hào)屏蔽材料顆粒,所述第一聚氨酯改性粘接層設(shè)在所述第一聚氨酯改性粘合屏蔽混雜層上,所述離型層設(shè)在所述第一聚氨酯改性粘接層上;
所述第二絕緣層設(shè)在所述載體層的另一側(cè)表面上,所述第二聚氨酯改性粘合屏蔽混雜層設(shè)在所述在第二絕緣層上,所述第二聚氨酯改性粘接層設(shè)在所述第二聚氨酯改性粘合屏蔽混雜層上,所述保護(hù)膜層設(shè)在所述第二聚氨酯改性粘接層上;
所述第一絕緣層、所述載體層和所述第二絕緣層上設(shè)有貫通的通孔,所述第二聚氨酯改性粘合屏蔽混雜層中至少靠近所述第二絕緣層的表面部分填充有所述信號(hào)屏蔽材料粉末或信號(hào)屏蔽材料顆粒,所述第二聚氨酯改性粘合屏蔽混雜層與所述第一聚氨酯改性粘合屏蔽混雜層通過(guò)所述通孔相接觸使所述信號(hào)屏蔽材料粉末或信號(hào)屏蔽材料顆粒相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁信號(hào)屏蔽吸收膜,其特征在于,所述第一聚氨酯改性粘合屏蔽混雜層中整體均勻填充有所述信號(hào)屏蔽材料粉末或信號(hào)屏蔽材料顆粒。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁信號(hào)屏蔽吸收膜,其特征在于,所述通孔有多個(gè),多個(gè)所述通孔分散在所述第一絕緣層、所述載體層和所述第二絕緣層上的靠近邊緣位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁信號(hào)屏蔽吸收膜,其特征在于,所述通孔有多個(gè),多個(gè)所述通孔在所述第一絕緣層、所述載體層和所述第二絕緣層上陣列分布。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁信號(hào)屏蔽吸收膜,其特征在于,所述第二聚氨酯改性粘接層的厚度大于所述第一聚氨酯改性粘接層的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電磁信號(hào)屏蔽吸收膜,其特征在于,所述第一聚氨酯改性粘接層的厚度為5μm-8μm;
所述第二聚氨酯改性粘接層的厚度為10μm-12μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的電磁信號(hào)屏蔽吸收膜,其特征在于,所述信號(hào)屏蔽材料粉末或信號(hào)屏蔽材料顆粒為銀包銅粉。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電磁信號(hào)屏蔽吸收膜,其特征在于,所述信號(hào)屏蔽材料粉末或信號(hào)屏蔽材料顆粒的粒徑范圍為300nm-500nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的電磁信號(hào)屏蔽吸收膜,其特征在于,所述載體層為PET層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的電磁信號(hào)屏蔽吸收膜,其特征在于,所述載體層的厚度為100μm-125μm;
所述第一絕緣層的厚度為200μm-220μm;
所述第二絕緣層的厚度為280μm-300μm;
所述保護(hù)膜層的厚度為50μm-60μm。
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