[實(shí)用新型]一種分揀式存儲(chǔ)芯片封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720660136.4
• 申請(qǐng)日: 2017-06-08
• 公開（公告）號(hào): CN206864462U
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 太極半導(dǎo)體（蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L23/31
• 代理公司: 蘇州銘浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)32246
• 代理人: 潘志淵

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種分揀式存儲(chǔ)芯片封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

晶圓制作出來后，進(jìn)入晶圓切片測(cè)試階段，原廠按照規(guī)格差異，將重新分揀出來的存儲(chǔ)芯片進(jìn)行要求封裝廠按指定規(guī)格再次封裝。

此類分揀芯片一般背面已經(jīng)帶有原裝芯片薄膜膠帶，因分揀芯片儲(chǔ)存時(shí)間較長(zhǎng)，一般不可以直接用于芯片粘貼于引線框架上。現(xiàn)有的封裝產(chǎn)品中，采取了上下平衡式的注塑模具。為了在TSOP封裝體內(nèi)容納1-2層芯片甚至更多的芯片，引線支架需要做較深的壓心制作，此深度壓心的引線支架達(dá)不到封裝工藝的要求，由于壓心過深會(huì)導(dǎo)致在芯片打線鍵合時(shí)的鍵合點(diǎn)不穩(wěn)定，而芯片過多又可能會(huì)導(dǎo)致芯片外漏于整個(gè)封裝腔體，影響產(chǎn)品的可靠性，原先的封裝結(jié)構(gòu)芯片層數(shù)低，容量小。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種分揀式存儲(chǔ)芯片封裝結(jié)構(gòu)。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：一種分揀式存儲(chǔ)芯片封裝結(jié)構(gòu)，包含引線框架，引線框架的正面設(shè)置有正面封裝樹脂，背面設(shè)置有背面封裝樹脂，正面封裝樹脂中設(shè)置有存儲(chǔ)芯片層和墊片芯片層，存儲(chǔ)芯片層堆疊在墊片芯片層上，墊片芯片層設(shè)置在引線框架上，存儲(chǔ)芯片層與引線框架之間連接有鍵合金線，引線框架的兩端設(shè)置有電鍍引腳。

優(yōu)選的，所述存儲(chǔ)芯片層包含依次堆疊在墊片芯片層上的頂層分揀式存儲(chǔ)芯片和底層分揀式存儲(chǔ)芯片。

優(yōu)選的，所述引線框架的正面設(shè)置有膠帶層，墊片芯片通過膠帶層與引線框架粘連。

優(yōu)選的，所述膠帶層的厚度為20微米。

優(yōu)選的，所述墊片芯片層的尺寸大于存儲(chǔ)芯片層。

由于上述技術(shù)方案的運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)：

本實(shí)用新型方案的分揀式存儲(chǔ)芯片封裝結(jié)構(gòu)，由于不需要壓心制作，支架材料制作工藝簡(jiǎn)單，支架的平整度較有壓心的材料平整度好，有利于封裝打線，芯片粘貼等制程作業(yè)；封裝結(jié)構(gòu)采取上下非平衡模式，能夠有效緩解封裝注模過程中的模流速度不匹配問題。

附圖說明

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案作進(jìn)一步說明：

附圖1為本實(shí)用新型所述的一種分揀式存儲(chǔ)芯片封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。

如圖1所示，本實(shí)用新型所述的一種分揀式存儲(chǔ)芯片封裝結(jié)構(gòu)，包含引線框架4，引線框架4的正面設(shè)置有正面封裝樹脂1，背面設(shè)置有背面封裝樹脂2，正面封裝樹脂1中設(shè)置有存儲(chǔ)芯片層和墊片芯片層5，墊片芯片層5無電學(xué)功能，存儲(chǔ)芯片層包含依次堆疊在墊片芯片層5上的頂層分揀式存儲(chǔ)芯片9和底層分揀式存儲(chǔ)芯片7，墊片芯片層5的尺寸大于頂層分揀式存儲(chǔ)芯片9和底層分揀式存儲(chǔ)芯片7的尺寸，頂層分揀式存儲(chǔ)芯片9和底層分揀式存儲(chǔ)芯片7通過自帶的膠帶依次粘接，自帶的膠帶厚度為20～25微米；所述引線框架4的正面設(shè)置有膠帶層6，膠帶層6的厚度為20微米，墊片芯片5通過膠帶層6與引線框架4粘連；所述頂層分揀式存儲(chǔ)芯片9和底層分揀式存儲(chǔ)芯片7與引線框架4之間設(shè)置有互相連接的鍵合金線3，鍵合金線3采用打線結(jié)合焊接技術(shù)進(jìn)行芯片的電性連接，引線框架4的兩端設(shè)置有電鍍引腳8。

以上僅是本實(shí)用新型的具體應(yīng)用范例，對(duì)本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不構(gòu)成任何限制。凡采用等同變換或者等效替換而形成的技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型權(quán)利保護(hù)范圍之內(nèi)。