[實用新型]一種硅通孔內存芯片與銅基板的封裝結構

有效

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• 申請日: 2017-06-08
• 公開（公告）號: CN207183249U
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發(fā)明（設計）人: 劉鵬
• 申請（專利權）人: 太極半導體（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/49
• 代理公司: 蘇州銘浩知識產權代理事務所(普通合伙)32246
• 代理人: 潘志淵

技術領域

本實用新型涉及一種硅通孔內存芯片與銅基板的封裝結構。

背景技術

現(xiàn)有的內存芯片產品的封裝，一般是封裝廠將全晶圓經過自己工廠研磨加工，芯片的厚度一般較厚200微米左右；而硅通孔內存芯片一般用于高端3維疊層獲取高規(guī)格容量，單層硅通孔內存芯片厚度一般較薄60微米以下，通常采取倒裝焊接于下層芯片或者基板之上，封裝效率較低，成本較高。

實用新型內容

本實用新型目的是為了克服現(xiàn)有技術的不足而提供一種硅通孔內存芯片與銅基板的封裝結構。

為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是：一種硅通孔內存芯片與銅基板的封裝結構，包含硅通孔內存芯片、基板和多根鍵合金線；所述基板的底面設置有電路，基板的中部設置有通槽；所述硅通孔內存芯片設置在基板上，硅通孔內存芯片上設置有多個硅通孔，硅通孔內存芯片的底面上設置有多個微型凸塊；每根鍵合金線的兩端均穿過通槽，電性連接于硅通孔內存芯片的底面和基板的底面。

優(yōu)選的，所述硅通孔內存芯片通過設置在通槽兩側的膠水層連接在基板上。

優(yōu)選的，所述膠水層與基板之間設置有網(wǎng)板。

優(yōu)選的，所述網(wǎng)板的厚度為100微米。

優(yōu)選的，所述硅通孔內存芯片的底面上設置有多個用于連接多根鍵合金線的焊盤。

優(yōu)選的，所述基板的底面設置有多個錫球。

由于上述技術方案的運用，本實用新型與現(xiàn)有技術相比具有下列優(yōu)點：

本實用新型方案的硅通孔內存芯片與銅基板的封裝結構，利用鍵合金線作為傳輸媒介，鍵合金線穿過基板上開設的通槽與硅通孔內存芯片實現(xiàn)信號互連，一方面的此銅基板可以封裝常規(guī)內存芯片，也可以封裝硅通孔芯片，節(jié)約成本；硅通孔內存芯片不需要通過倒裝焊接于下層芯片或者基板之上，提高了封裝效率。

附圖說明

下面結合附圖對本實用新型技術方案作進一步說明：

附圖1為本實用新型所述的硅通孔內存芯片與銅基板的封裝結構的剖視圖；

附圖2為本實用新型所述的硅通孔內存芯片與銅基板的封裝結構的平面圖；

其中，11、硅通孔內存芯片；12、絕緣樹脂；13、微型凸塊；14、錫球；15、鍵合金線；16、基板；17、膠水層；18、硅通孔；24、通槽；25、焊盤。

具體實施方式

下面結合附圖及具體實施例對本實用新型作進一步的詳細說明。

如圖1-2所示，本實用新型所述的一種硅通孔內存芯片與銅基板的封裝結構，包含硅通孔內存芯片11、基板16和多根鍵合金線15；所述基板16的底面設置有電路，基板16的中部設置有通槽24；所述硅通孔內存芯片11通過設置在通槽24兩側的膠水層17連接在基板16上，膠水層17與基板16之間設置有100微米厚的網(wǎng)板，來控制膠水的流動性，為防止膠水溢出到通槽24中；所述硅通孔內存芯片11上設置有多個硅通孔18，硅通孔內存芯片11的底面上設置有多個微型凸塊13；每根鍵合金線15的兩端均穿過通槽24，電性連接于硅通孔內存芯片11的底面和基板16的底面，硅通孔內存芯片11的底面上設置有多個用于連接多根鍵合金線15的焊盤25，基板16的底面設置有多個錫球14。

封裝時，首先通過流動性好的膠水把硅通孔內存芯片11黏貼到基板16上，芯片粘貼時選取特制軟性的吸嘴抓取；焊接金線，連接芯片與基板電路，通過絕緣樹脂12合成整個腔體保護內部各個器件，并植入錫球14以便客戶端將整體焊接到主板線路版上。

以上僅是本實用新型的具體應用范例，對本實用新型的保護范圍不構成任何限制。凡采用等同變換或者等效替換而形成的技術方案，均落在本實用新型權利保護范圍之內。