[實用新型]一種內存芯片倒裝封裝結構

有效

• 申請號: 201720659778.2
• 申請日: 2017-06-08
• 公開（公告）號: CN207183262U
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發明（設計）人: 劉鵬
• 申請（專利權）人: 太極半導體（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31;H01L21/48
• 代理公司: 蘇州銘浩知識產權代理事務所(普通合伙)32246
• 代理人: 潘志淵

技術領域

本實用新型涉及微電子技術中的集成電路封裝技術領域，具體涉及一種針對二次分選內存芯片進行的低成本的倒裝芯片封裝結構。

背景技術

隨著現代內存技術的發展，為了滿足內存芯片運行速度的要求，越來越多的高密度，高性能的內存芯片從過去傳統的帶開窗金線互連的wBGA 封裝形式，轉向帶金屬（錫鉛C4或銅柱C2）凸塊互連的倒裝Flip Chip封裝形式。

如圖1所示，現有的倒裝Flip Chip會在芯片的表面形成凸塊陣列，再與基板進行互連，圖中：11為基板，12為基板阻焊材料，13為銅墊片，14為錫膏涂布層，15為錫鉛凸塊，16為底層凸塊材料，17為芯片；由于基板與芯片之間需要設置錫膏涂布層，即多了一個電鍍錫的步驟，增加了整體厚度，并且增加了封裝成本；而且在內存芯片和封裝基板的倒裝焊接過程中，還需要進行under fill點膠的工序，降低了效率，進一步增加了制造成本。

實用新型內容

本實用新型目的是為了克服現有技術的不足而提供一種低成本的倒裝芯片封裝結構。

為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是：一種內存芯片倒裝封裝結構，包含基板和芯片；所述基板上設置有封裝空間，基板的上表面設置有防氧化鍍膜層，芯片位于封裝空間中，芯片的底面設置有錫鉛凸塊，芯片通過錫鉛凸塊與基板的防氧化鍍膜層連接，封裝空間中填充有絕緣樹脂。

優選的，所述防氧化鍍膜層為經過防氧化表面處理的銅墊片，銅墊片的兩側設置有基板阻焊材料。

優選的，所述基板阻焊材料與銅墊片之間設置有間隙，并且基板阻焊材料的兩側均設置為斜邊。

優選的，所述芯片的底面還設置有底層凸塊材料，錫鉛凸塊設置在底層凸塊材料上。

由于上述技術方案的運用，本實用新型與現有技術相比具有下列優點：

本實用新型方案的內存芯片倒裝封裝結構，相比于其它常規封裝方式，一方面基板表層的焊盤處理方式以OSP防氧化鍍膜工藝代替一般的SOP錫膏涂覆的設計方式，過程相對簡單，封裝基板的價格較低；另一方面省去under fill點膠的工序，生產效率提高，進一步地降低制造成本。

附圖說明

下面結合附圖對本實用新型技術方案作進一步說明：

附圖1為本實用新型的現有技術的示意圖；

附圖2為本實用新型所述的一種內存芯片倒裝封裝結構的示意圖；

附圖3為本實用新型所述的一種內存芯片倒裝封裝結構的一種實施方式的示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖及具體實施例對本實用新型作進一步的詳細說明。

如圖2所示，本實用新型所述的一種內存芯片倒裝封裝結構，包含基板1和芯片6；所述基板1上設置有封裝空間，基板1的上表面設置有防氧化鍍膜層，芯片6位于封裝空間中，芯片6的底面設置有錫鉛凸塊4，芯片6通過錫鉛凸塊4與基板1的防氧化鍍膜層連接，封裝空間中填充有絕緣樹脂8。

如圖3所示，所述防氧化鍍膜層為經過防氧化表面處理的銅墊片3，銅墊片3的兩側設置有基板阻焊材料2，基板阻焊材料2與銅墊片3之間設置有間隙，并且基板阻焊材料2的兩側均設置為斜邊，可以便于絕緣樹脂8的填充；所述芯片6的底面還設置有底層凸塊材料5，錫鉛凸塊4設置在底層凸塊材料5上，不與芯片6直接接觸。

其中，所述基板1選用低膨脹的材料，以保證平整性，并避免影響到后續封裝作業，最終達到低成本高可靠性的封裝產品；所述芯片6為內存DDR3芯片，芯片6底面的錫鉛凸塊4的間距超過250微米；所述絕緣樹脂8為顆粒較細的樹脂材料，充分優化模流參數，防止芯片6的底部與基板1的連接處發生空洞。

以上僅是本實用新型的具體應用范例，對本實用新型的保護范圍不構成任何限制。凡采用等同變換或者等效替換而形成的技術方案，均落在本實用新型權利保護范圍之內。