[實用新型]一種多層堆疊式芯片的封裝結構

有效

• 申請號: 201720659747.7
• 申請日: 2017-06-08
• 公開（公告）號: CN206864469U
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發明（設計）人: 陽芳芳
• 申請（專利權）人: 太極半導體（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/49
• 代理公司: 蘇州銘浩知識產權代理事務所(普通合伙)32246
• 代理人: 潘志淵

技術領域

本實用新型涉及半導體閃存封裝技術領域，具體地說是一種多層堆疊式芯片的封裝結構。

背景技術

閃存卡由Sandisk 公司發明， 是基于半導體快閃記憶器的新一代記憶設備，體積小，傳輸速度快，可熱插拔，廣泛應用于電子詞典,手機,汽車導航以及自動化測試系統領域；隨著消費需求向高容量的轉移，芯片層數增多，需要封裝更大尺寸的芯片，因此，新型封裝結構成為閃存封裝的新的研究課題。

實用新型內容

本實用新型目的是為了克服現有技術的不足而提供一種多層堆疊式芯片的封裝結構。

為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是：一種多層堆疊式芯片的封裝結構，包含表面貼裝元件、控制器、基板、多根金線和多個存儲芯片；所述表面貼裝元件通過焊膏固定在基板上，多個存儲芯片通過粘貼層依次堆疊在基板上，控制器設置在頂部的存儲芯片上；所述的控制器與基板之間、存儲芯片與存儲芯片之間、以及存儲芯片與基板之間通過金線電連接；多個所述的存儲芯片沿長邊對齊，并沿短邊依次交錯設置；所述表面貼裝元件、控制器、金線和存儲芯片由塑封樹脂封裝在基板上。

優選的，所述存儲芯片有四個，每個存儲芯片的尺寸相同。

優選的，所述粘貼層包含普通粘片膜DAF和線上可流動膜FOW。

優選的，所述塑封樹脂在表面貼裝元件處的厚度大于存儲芯片處的厚度。

由于上述技術方案的運用，本實用新型與現有技術相比具有下列優點：

本實用新型方案的多層堆疊式芯片的封裝結構，多個芯片在短邊的一側交錯設置，便于相鄰的兩個芯片之間焊線；控制器從基板挪到頂部芯片上，節省了空間，使整體封裝尺寸不變的情況下，可以封裝更大尺寸的芯片，提高存儲容量。

附圖說明

下面結合附圖對本實用新型技術方案作進一步說明：

附圖1為本實用新型所述的一種多層堆疊式芯片的封裝結構的長邊一側的示意圖；

附圖2為本實用新型所述的一種多層堆疊式芯片的封裝結構的短邊一側的示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖及具體實施例對本實用新型作進一步的詳細說明。

如圖1-2所示，本實用新型所述的一種多層堆疊式芯片的封裝結構，包含表面貼裝元件1、控制器6、基板9、多根金線8和4個存儲芯片3，4個存儲芯片3的尺寸大小相同；所述表面貼裝元件1通過焊膏2固定在基板9上，4個存儲芯片3在長邊的一側對齊，并在短邊的一側交錯設置，底層的存儲芯片3通過普通粘片膜DAF設置在基板9上，第二層存儲芯片3通過普通粘片膜DAF設置在底層的存儲芯片3上，第三層存儲芯片3通過線上可流動膜FOW設置在第二層存儲芯片3上，頂層通過普通粘片膜DAF設置在第三層存儲芯片3上；所述控制器6設置在頂部的存儲芯片3上，控制器6與基板9之間通過金線8電連接，底層存儲芯片3和第三層存儲芯片3通過金線8與基板9電連接，第二層存儲芯片3與底層存儲芯片3通過金線8電連接，頂層存儲芯片3與第三層存儲芯片3通過金線8電連接；所述表面貼裝元件1、控制器6、金線8和存儲芯片3均由塑封樹脂7封裝在基板9上，塑封樹脂7在表面貼裝元件1處的厚度大于存儲芯片3處的厚度。

其中，貼片和焊線的工藝包括以下步驟：

1）存儲芯片一二層貼片，烘烤；

2）焊線；

3）存儲芯片第三層貼片，烘烤；

4）存儲芯片第四層貼片，控制器貼片，烘烤；

5）焊線。

本方案可以封裝的存儲芯片3的尺寸為9.180X12.965mm，大于常規封裝的芯片尺寸，常規封裝的芯片尺寸一般為8.446x10.980mm。

以上僅是本實用新型的具體應用范例，對本實用新型的保護范圍不構成任何限制。凡采用等同變換或者等效替換而形成的技術方案，均落在本實用新型權利保護范圍之內。