[實用新型]一種基于層狀鈷氧化物的低溫測溫元件

有效

• 申請號: 201720651656.9
• 申請日: 2017-06-07
• 公開（公告）號: CN206990123U
• 公開（公告）日: 2018-02-09
• 發明（設計）人: 宋世金;虞瀾;胡建力;崔凱;黃杰
• 申請（專利權）人: 昆明理工大學
• 主分類號: G01K7/22
• 分類號: G01K7/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于層狀鈷氧化物的低溫測溫元件，其特征在于，包括單晶基底、薄膜熱敏元件、金屬電極Ⅰ、金屬電極Ⅱ、金屬電極Ⅲ、金屬電極Ⅳ、導線Ⅰ、導線Ⅱ，薄膜熱敏元件在單晶基底上沿c軸外延生長，在薄膜熱敏元件上表面依次設置有等距排列的金屬電極Ⅰ、金屬電極Ⅱ、金屬電極Ⅲ、金屬電極Ⅳ，金屬電極Ⅰ、金屬電極Ⅳ通過導線Ⅰ連接恒流源輸出端，金屬電極Ⅱ、金屬電極Ⅲ通過導線Ⅱ連接電壓表輸入端，薄膜熱敏元件為層狀鈷氧化物薄膜。

2.根據權利要求1所述基于層狀鈷氧化物的低溫測溫元件，其特征在于，所述單晶基底為00l取向的SrTiO₃、LaAlO₃或(La_xSr_1-x)(Al_yTa_1-y)O₃, (La_xSr_1-x)(Al_yTa_1-y)O₃中0.1≤x≤0.5，0.5≤y≤0.7。

3.根據權利要求1所述基于層狀鈷氧化物的低溫測溫元件，其特征在于，所述金屬電極Ⅰ、金屬電極Ⅱ、金屬電極Ⅲ、金屬電極Ⅳ的材料相同，為Ag、Cu、In或Pt，金屬電極Ⅰ、金屬電極Ⅱ、金屬電極Ⅲ、金屬電極Ⅳ之間的間距為1-5mm。

4.根據權利要求1所述基于層狀鈷氧化物的低溫測溫元件，其特征在于，所述導線Ⅰ、導線Ⅱ所用材料相同，為Ag或Cu導線，導線Ⅰ、導線Ⅱ的直徑為0.05-0.2mm。

5.根據權利要求1所述基于層狀鈷氧化物的低溫測溫元件，其特征在于，所述層狀鈷氧化物薄膜為層狀Ca₃Co₄O_9+δ薄膜。