[實用新型]一種DMOS截止環

有效

• 申請號: 201720648610.1
• 申請日: 2017-06-06
• 公開（公告）號: CN207233742U
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 李偉聰
• 申請（專利權）人: 深圳市威兆半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 重慶百潤洪知識產權代理有限公司50219
• 代理人: 高姜

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，尤其涉及一種DMOS截止環。

背景技術

DMOS與CMOS器件結構類似，也有源、漏、柵等電極，但是漏端擊穿電壓高。DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管VDMOSFET(vertical double-diffused MOSFET)和橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管LDMOSFET(lateral double-dif fused MOSFET)，是一種功率器件，被廣泛用于電源、整流器、適配器、照明等領域。

DMOS晶圓生產時，會包含兩個部分，一是管芯部分，即整個DMOS器件；二是為了分割每一個管芯所需要的劃片道部分，劃片道會放置一些生產過程中的監控及對準等圖形，對管芯不起作用。DMOS管芯為了提高耐壓，都會采用分壓環的設計，包括在器件管芯最外圍的截止環。

請參閱圖1和圖2，為一種現有的DMOS截止環，包括現有外延層400、現有P-Well層300、現有氧化層500、現有金屬層100以及現有接觸層200。DMOS截止環包括管芯區10和劃片道區20，現有外延層400、現有P-Well層300、現有氧化層500、現有金屬層100以及現有接觸層200均位于管芯區10。截止環的作用一方面是對器件進行接地，防止電荷累積損傷器件；另一方面是保護DMOS器件分壓環，吸收外界從器件側面進入的帶電離子。截止環的設計關系到器件的可靠性，是功率器件DMOS不可缺少的設計部分。傳統的截止環設計是在器件的最邊緣設計預留一部分區域，通過注入工藝注入P(或N)型雜質來保護器件，這樣的做法會占用器件的面積。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是提供一種DMOS截止環，以解決現有技術成本高的問題。

為解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案是：

一種DMOS截止環，包括：

外延層、P-Well層、氧化層、金屬層以及接觸層；

所述P-Well層設置于所述外延層上，所述氧化層設置于所述外延層和所述P-Well層上，與所述外延層以及所述P-Well層相接觸；所述金屬層設置于所述氧化層上，所述接觸層設置于所述P-Well層上；所述DMOS截止環包括管芯區和劃片道區，所述接觸層位于所述劃片道區，所述氧化層和所述金屬層位于所述管芯區。

所述金屬層上表面高度高于所述接觸層上表面高度。

所述外延層和所述P-Well層的上表面在同一平面內。

本實用新型所具有的優點與效果是：

本實用新型的一種DMOS截止環，包括：外延層、P-Well層、氧化層、金屬層以及接觸層；P-Well層設置于外延層上，氧化層設置于外延層和P-Well層上，與外延層以及P-Well層相接觸；金屬層設置于氧化層上，接觸層設置于P-Well層上；DMOS截止環包括管芯區和劃片道區，接觸層位于劃片道區，氧化層和金屬層位于管芯區；利用劃片道區域，不占用DMOS器件芯片面積，通過在DMOS器件芯片的劃片道處設計制作截止環，降低了芯片成本。

附圖說明

下面結合附圖對本實用新型作進一步詳述：

圖1為現有的一種DMOS截止環的示意圖。

圖2為現有的一種DMOS截止環的剖視圖。

圖3本實用新型的一種DMOS截止環的示意圖。

圖4本實用新型的一種DMOS截止環的剖視圖。

圖中：金屬層1、接觸層2、P-Well層3、外延層4、氧化層5、管芯區10、劃片道區20、現有外延層400、現有P-Well層300、現有氧化層500、現有金屬層100、現有接觸層200。

具體實施方式