[實用新型]一種DMOS截止環(huán)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720648610.1
• 申請日: 2017-06-06
• 公開（公告）號: CN207233742U
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李偉聰
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市威兆半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 重慶百潤洪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司50219
• 代理人: 高姜

1.一種DMOS截止環(huán)，其特征在于，包括：

外延層(4)、P-Well層(3)、氧化層(5)、金屬層(1)以及接觸層(2)；

所述P-Well層(3)設(shè)置于所述外延層(4)上，所述氧化層(5)設(shè)置于所述外延層(4)和所述P-Well層(3)上，與所述外延層(4)以及所述P-Well層(3)相接觸；所述金屬層(1)設(shè)置于所述氧化層(5)上，所述接觸層(2)設(shè)置于所述P-Well層(3)上；所述DMOS截止環(huán)包括管芯區(qū)(10)和劃片道區(qū)(20)，所述接觸層(2)位于所述劃片道區(qū)(20)，所述氧化層(5)和所述金屬層(1)位于所述管芯區(qū)(10)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種DMOS截止環(huán)，其特征在于，所述金屬層(1)上表面高度高于所述接觸層(2)上表面高度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種DMOS截止環(huán)，其特征在于，所述外延層(4)和所述P-Well層(3)的上表面在同一平面內(nèi)。