[實(shí)用新型]一種鈣鈦礦薄膜后處理設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720629820.6
• 申請(qǐng)日: 2017-06-02
• 公開（公告）號(hào): CN207009480U
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州纖納光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/42
• 分類號(hào): H01L51/42;H01L51/48
• 代理公司: 浙江一墨律師事務(wù)所33252
• 代理人: 陳紅珊,楊馨雨

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于光伏技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種鈣鈦礦薄膜后處理設(shè)備。

背景技術(shù)

鈣鈦礦薄膜太陽能電池得到長(zhǎng)足的發(fā)展，是因?yàn)樗暮诵牟糠肘}鈦礦薄膜的質(zhì)量是其迅猛發(fā)展的關(guān)鍵所在。為了提高鈣鈦礦薄膜的品質(zhì)（即減少薄膜內(nèi)缺陷態(tài)密度、提高薄膜致密性、降低粗糙度等，最終達(dá)到提高轉(zhuǎn)化效率的目的），在通過溶液沉積或真空沉積獲得鈣鈦礦薄膜之后，現(xiàn)有一種普遍的做法是對(duì)其進(jìn)行后處理。后處理的常見手段包括：熱退火、溶劑退火、表面鈍化、溶劑沖洗等。這些后處理手段盡管取得了一些效果，但是現(xiàn)有的設(shè)備和方法卻無法滿足將這些手段用到工業(yè)化生產(chǎn)中的需求。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種鈣鈦礦薄膜后處理設(shè)備，對(duì)鈣鈦礦薄膜進(jìn)行后處理，可以滿足工業(yè)化生產(chǎn)的需求。

本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的，提供一種鈣鈦礦薄膜后處理設(shè)備，包括溶液噴涂清洗部分和/或溶劑沉積部分，所述溶液噴涂清洗部分包括可控制進(jìn)出的第一密閉腔室以及設(shè)置在第一密閉腔室內(nèi)的溶液噴涂裝置、高壓氣體噴嘴裝置和高溫干燥裝置，所述高壓氣體噴嘴裝置設(shè)置在溶液噴涂裝置和高溫干燥裝置之間，在所述第一密閉腔室上還設(shè)置有第一排氣管道，所述溶液噴涂清洗部分還包括輸送鈣鈦礦薄膜基片的第一傳送裝置，所述第一傳送裝置橫跨所述第一密閉腔室，所述第一傳送裝置的傳送帶或傳送軸設(shè)置在溶液噴涂裝置、高壓氣體噴嘴裝置和高溫干燥裝置的正下方；所述溶劑沉積部分包括可控制進(jìn)出的第二密閉腔室以及設(shè)置在第二密閉腔室內(nèi)的加熱裝置和溶劑蒸發(fā)裝置，所述溶劑蒸發(fā)裝置靠近溶液噴涂清洗部分，在所述第二密閉腔室上還設(shè)置有第二排氣管道，所述溶劑沉積部分還包括橫跨第二密閉腔室的傳動(dòng)軸裝置，所述傳動(dòng)軸裝置與第一傳送裝置銜接，用于傳送從第一傳送裝置傳輸來的鈣鈦礦薄膜基片進(jìn)入第二密閉腔室內(nèi)，所述傳動(dòng)軸裝置的轉(zhuǎn)動(dòng)軸從上下設(shè)置的加熱裝置和溶劑蒸發(fā)裝置之間通過。

通過本實(shí)用新型的工業(yè)化的鈣鈦礦薄膜后處理設(shè)備，對(duì)已制備了鈣鈦礦薄膜的基片進(jìn)行連續(xù)性生產(chǎn)，滿足鈣鈦礦薄膜的基片工業(yè)化生產(chǎn)的需求。本實(shí)用新型的鈣鈦礦薄膜后處理設(shè)備可以對(duì)已制備了鈣鈦礦薄膜的基片進(jìn)行后續(xù)清洗和退火處理，對(duì)鈣鈦礦薄膜的缺陷進(jìn)行修補(bǔ)處理，進(jìn)一步提高鈣鈦礦薄膜的質(zhì)量。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的鈣鈦礦薄膜后處理設(shè)備，對(duì)已制備了鈣鈦礦薄膜的基片進(jìn)行后續(xù)清洗和退火處理，并滿足鈣鈦礦薄膜后處理的工業(yè)化生產(chǎn)的需求。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的剖面示意圖；

圖2為使用本實(shí)用新型的鈣鈦礦薄膜后處理設(shè)備處理后的鈣鈦礦薄膜太陽能電池與沒有使用本實(shí)用新型設(shè)備處理的鈣鈦礦薄膜太陽能電池的特性對(duì)比曲線；

圖3為剛制備完的沒有經(jīng)過本實(shí)用新型的鈣鈦礦薄膜后處理設(shè)備處理的鈣鈦礦薄膜表面的SEM示意圖；

圖4為對(duì)圖3的鈣鈦礦薄膜再經(jīng)過本實(shí)用新型的鈣鈦礦薄膜后處理設(shè)備處理后的鈣鈦礦薄膜表面SEM示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

請(qǐng)參照?qǐng)D1所示，本實(shí)用新型鈣鈦礦薄膜后處理設(shè)備的較佳實(shí)施例，包括溶液噴涂清洗部分A和/或溶劑沉積部分B。

所述溶液噴涂清洗部分A包括輸送鈣鈦礦薄膜基片8的第一傳送裝置2、可控制進(jìn)出的第一密閉腔室6以及設(shè)置在第一密閉腔室6內(nèi)的溶液噴涂裝置3、高壓氣體噴嘴裝置4和高溫干燥裝置7。所述高壓氣體噴嘴裝置4設(shè)置在溶液噴涂裝置3和高溫干燥裝置7之間。在所述第一密閉腔室6上還設(shè)置有第一排氣管道5。所述第一傳送裝置2橫跨所述第一密閉腔室6。所述第一傳送裝置2的傳送帶或傳送軸設(shè)置在溶液噴涂裝置3、高壓氣體噴嘴裝置4和高溫干燥裝置7的正下方。在本實(shí)施例中，在第一密閉腔室6內(nèi)設(shè)置有兩套高壓氣體噴嘴裝置4，在所述第一傳送裝置2的傳送帶或傳送軸的上方和下方分別設(shè)置了高溫干燥裝置7。

所述溶劑沉積部分B包括傳動(dòng)軸裝置9、可控制進(jìn)出的第二密閉腔室11以及設(shè)置在第二密閉腔室11內(nèi)的加熱裝置14和溶劑蒸發(fā)裝置12，傳動(dòng)軸裝置9橫跨第二密閉腔室11，并與第一傳送裝置2銜接，用于傳送從第一傳送裝置2傳輸來的鈣鈦礦薄膜基片8進(jìn)入第二密閉腔室11內(nèi)。所述溶劑蒸發(fā)裝置12靠近溶液噴涂清洗部分A。在所述第二密閉腔室11上還設(shè)置有第二排氣管道10。所述傳動(dòng)軸裝置9的轉(zhuǎn)動(dòng)軸從上下設(shè)置的加熱裝置14和溶劑蒸發(fā)裝置12之間通過。