[實用新型]一種鈣鈦礦薄膜后處理設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720629820.6
• 申請日: 2017-06-02
• 公開（公告）號: CN207009480U
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發(fā)明（設計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權）人: 杭州纖納光電科技有限公司
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/48
• 代理公司: 浙江一墨律師事務所33252
• 代理人: 陳紅珊,楊馨雨

1.一種鈣鈦礦薄膜后處理設備，其特征在于，包括溶液噴涂清洗部分和溶劑沉積部分，所述溶液噴涂清洗部分包括可控制進出的第一密閉腔室以及設置在第一密閉腔室內的溶液噴涂裝置、高壓氣體噴嘴裝置和高溫干燥裝置，所述高壓氣體噴嘴裝置設置在溶液噴涂裝置和高溫干燥裝置之間，在所述第一密閉腔室上還設置有第一排氣管道，所述溶液噴涂清洗部分還包括輸送鈣鈦礦薄膜基片的第一傳送裝置，所述第一傳送裝置橫跨所述第一密閉腔室，所述第一傳送裝置的傳送帶或傳送軸設置在溶液噴涂裝置、高壓氣體噴嘴裝置和高溫干燥裝置的正下方；所述溶劑沉積部分包括可控制進出的第二密閉腔室以及設置在第二密閉腔室內的加熱裝置和溶劑蒸發(fā)裝置，所述溶劑蒸發(fā)裝置靠近溶液噴涂清洗部分，在所述第二密閉腔室上還設置有第二排氣管道，所述溶劑沉積部分還包括橫跨第二密閉腔室的傳動軸裝置，所述傳動軸裝置與第一傳送裝置銜接，用于傳送從第一傳送裝置傳輸來的鈣鈦礦薄膜基片進入第二密閉腔室內，所述傳動軸裝置的轉動軸從上下設置的加熱裝置和溶劑蒸發(fā)裝置之間通過。

2.如權利要求1所述的鈣鈦礦薄膜后處理設備，其特征在于，所述溶液噴涂裝置設有噴嘴，所述噴嘴與第一傳送裝置的傳送帶或傳送軸的上下距離可調。

3.如權利要求1所述的鈣鈦礦薄膜后處理設備，其特征在于，所述溶劑蒸發(fā)裝置包括加熱源和可盛放溶劑的容器。