[實用新型]一種應用于X射線探測器芯片光敏面的GOS材料結構

有效

• 申請號: 201720628059.4
• 申請日: 2017-06-01
• 公開（公告）號: CN207516562U
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發明（設計）人: 李文剛
• 申請（專利權）人: 江蘇尚飛光電科技有限公司
• 主分類號: G01T1/202
• 分類號: G01T1/202
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

本實用新型一種應用于X射線探測器芯片光敏面的GOS材料結構，包括芯片光敏面、GOS(硫氧化釓)材料晶體出光面，所述GOS(硫氧化釓)材料晶體出光面通過膠水粘貼在芯片光敏面上，利用GOS(硫氧化釓)材料作為X射線探測器的閃爍晶體，并使GOS(硫氧化釓)材料切割成與芯片光敏面相近的尺寸，使兩者貼合在一起，在使用過程中大大降低了產品耦合所需的精度，另一方面也大大的提高了產品耦合效率，此外GOS因整個面都出光，在出光的均勻性上也比其它晶體材料效果要好，因市場對間距0.78mm、0.4mm、0.2mm產品需求不斷擴大，將GOS(硫氧化釓)材料應用在此類高分辨率產品上能大大降低產品晶體耦合精度并提升產品良率及生產效率。

技術領域

本實用新型涉及探測器、探測器芯片成光技術領域，尤其涉及一種應用于X射線探測器芯片光敏面的GOS材料結構。

背景技術

隨著工業社會的進步，市場對X射線探測器成像圖片分辨率要求越來越高，現有X射線探測器主要是用碘化銫(Csl)材料充當X射線探測器閃爍晶體來使用，而閃爍晶體是指，在X射線高能粒子的撞擊下，能將高能粒子的動能轉變為光能而發出閃光的晶體，典型代表材料有碘化銫，鎢酸鎘、氟化鋇等。

本設計人發現，現有的晶體材料需要與X射線探測器的芯片出光面完全耦合，才能達到較好的光電轉換效率，這種材料貼合過程比較麻煩，且現有的晶體材料只是出光面的部分區域出光，如耦合精度不夠，會導致X射線探測器產品均勻性存在缺陷。

為此，針對上述問題，我們提出一種應用于X射線探測器芯片光敏面的GOS 材料結構來解決這一問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種應用于X射線探測器芯片光敏面的GOS 材料結構，以解決上述背景技術中提出的現有的晶體材料需要與X射線探測器的芯片光敏面完全耦合，才能達到較好的光電轉換效率，這種材料貼合過程比較麻煩，且現有的晶體材料只是出光面的部分區域出光，如耦合精度不夠，會導致X射線探測器產品均勻性存在缺陷的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種應用于X射線探測器芯片光敏面的GOS材料結構，包括芯片光敏面、GOS(硫氧化釓)材料晶體出光面，所述GOS(硫氧化釓)材料晶體出光面通過膠水粘貼在芯片光敏面上。

優選的，所述GOS(硫氧化釓)材料晶體貼合在X射線探測器的芯片光敏面(1)上時，整個面均為出光面。

優選的，所述GOS(硫氧化釓)材料晶體出光面在與芯片光敏面實施貼合前，需要將GOS(硫氧化釓)材料晶體切割成與芯片光敏面一樣的尺寸。

與現有技術相比，本實用新型具有如下有益效果：

本實用新型利用GOS(硫氧化釓)材料作為X射線探測器閃爍晶體，并使GOS (硫氧化釓)材料切割成與芯片光敏面相近的尺寸，使兩者貼合在一起，在使用過程中大大降低了產品耦合所需的精度，另一方面也大大的提高了產品耦合效率，此外GOS因整個面都出光，在出光的均勻性上也比其它晶體材料效果要好，因市場對間距0.78mm、0.4mm、0.2mm產品需求不斷擴大，將GOS(硫氧化釓)材料應用在此類高分辨率產品上能大大降低產品晶體耦合精度并提升產品良率及生產效率。

附圖說明

圖1為本實用新型材料貼合后出光面示意圖；

圖2為其它材料貼合后出光面結構示意圖。

圖中：1、芯片光敏面，2、GOS(硫氧化釓)材料晶體出光面。

具體實施方式