[實用新型]一種晶圓的厚度量測裝置有效
| 申請號: | 201720621809.5 | 申請日: | 2017-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN207068798U | 公開(公告)日: | 2018-03-02 |
| 發明(設計)人: | 陳軍 | 申請(專利權)人: | 廈門市三安集成電路有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01B5/06 |
| 代理公司: | 廈門市首創君合專利事務所有限公司35204 | 代理人: | 張松亭,陳淑嫻 |
| 地址: | 361000 福建省廈門*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 厚度 裝置 | ||
1.一種晶圓的厚度量測裝置,包括測試平臺、支架以及千分表,所述千分表通過支架連接于測試平臺上方,其特征在于:還包括載臺以及抽真空裝置;所述載臺設于測試平臺上,包括用于承載待測晶圓的凸臺矩陣以及設于凸臺矩陣相對兩側的兩限位條;所述凸臺矩陣由若干彼此間隔的凸臺排列組成,所述兩限位條的至少部分間距與待測晶圓的直徑相匹配;該些凸臺中包括至少一供氣凸臺,所述供氣凸臺設有若干抽氣孔并連接所述抽真空裝置,所述供氣凸臺位于所述千分表的測桿正下方。
2.根據權利要求1所述的晶圓的厚度量測裝置,其特征在于:所述載臺上還設有至少一個轉片凹槽,所述轉片凹槽至少部分位于所述凸臺矩陣區域內并對應于待測晶圓的邊緣。
3.根據權利要求2所述的晶圓的厚度量測裝置,其特征在于:所述載臺上設有兩個所述轉片凹槽,且兩轉片凹槽于所述凸臺矩陣區域斜對角設置。
4.根據權利要求1所述的晶圓的厚度量測裝置,其特征在于:所述凸臺矩陣包括4~20個所述凸臺,各凸臺的高度相同,高度范圍為1~3mm。
5.根據權利要求1所述的晶圓的厚度量測裝置,其特征在于:所述千分表還包括舉升桿和阻擋棒,舉升桿連接所述測桿并帶動測桿上下運動,阻擋棒于測桿懸空狀態下阻擋于舉升桿帶動測桿下降的運動路徑上。
6.根據權利要求5所述的晶圓的厚度量測裝置,其特征在于:所述支架上設有與阻擋棒配合的限位孔,所述阻擋棒通過插入限位孔橫設于懸空狀態下所述舉升桿靠近所述測桿連接端的下方,從而使所述測桿保持懸空狀態。
7.根據權利要求1所述的晶圓的厚度量測裝置,其特征在于:所述抽真空裝置還包括用于顯示真空吸附值的真空表頭和用于控制真空通斷的腳踏開關。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





