[實(shí)用新型]適用于晶圓級測試的治具

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720616713.X
• 申請日: 2017-05-31
• 公開（公告）號: CN207051431U
• 公開（公告）日: 2018-02-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊德利;熊望明;趙立新
• 申請（專利權(quán)）人: 格科微電子（上海）有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及集成電路測試技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種適用于晶圓級測試的治具。

背景技術(shù)

CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）圖像傳感器的制作過程為：設(shè)計、晶圓生產(chǎn)、彩色濾膜、芯片級封裝（Chip Scale Package，CSP）、測試。在晶圓測試步驟中，需要對晶圓上的晶粒（Die）進(jìn)行電性測試，以確保在封裝之前，硅晶圓上的晶粒是合格的產(chǎn)品，晶圓測試是確保半導(dǎo)體器件良率的關(guān)鍵步驟之一。

一般的，CMOS圖像傳感器在正常使用過程中會存在發(fā)熱現(xiàn)象，產(chǎn)生噪聲，影響圖像傳感器的性能、壽命等，現(xiàn)有技術(shù)中，并未提供對應(yīng)于相應(yīng)環(huán)境的治具或輔助裝置對圖像傳感器晶圓進(jìn)行測試，例如若進(jìn)行不同溫度測試時，往往將晶圓放置于不同室溫中進(jìn)行測試，測試較為復(fù)雜，并且對晶圓的實(shí)際溫度難以控制，因此，在晶圓測試過程中需要對晶圓的測試環(huán)境進(jìn)行調(diào)整，提高晶圓的溫度，測試高溫下晶圓的性能，提高測試準(zhǔn)確性。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種適用于晶圓級測試的治具，模擬測試晶圓的使用環(huán)境，測試高溫下晶圓的性能，提高測試的準(zhǔn)確性。

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種適用于晶圓級測試的治具，包括：

基板；

分別位于基板至少一側(cè)面的多個探針及至少一個加熱棒，所述加熱棒通過所述基板將熱量傳遞至所述探針，通過所述探針加熱測試芯片；

溫度傳感器，用于檢測所述基板的溫度。

可選的，所述加熱棒與所述探針依次錯開設(shè)置。

可選的，所述測試芯片的表面具有錫球，所述錫球與所述探針連接，所述探針通過所述錫球?qū)崃總鬟f至所述測試芯片，以加熱所述測試芯片。

可選的，所述治具還包括：多個導(dǎo)流槽，多個導(dǎo)流槽與所述加熱棒位于基板的同一側(cè)面。

可選的，所述導(dǎo)流槽位于所述加熱棒延伸的方向上，且多個導(dǎo)流槽之間相互連通。

可選的，所述基板與電路板連接，所述基板與所述電路板之間形成密閉腔，所述電路板遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)連接進(jìn)氣管，用于向所述基板的導(dǎo)流槽中通入氣流。

可選的，所述治具還包括：多個散熱氣孔，多個散熱氣孔與所述探針位于所述基板的同一側(cè)面。

可選的，所述散熱氣孔與所述加熱棒相對設(shè)置，且每個所述加熱棒對應(yīng)多個散熱氣孔。

可選的，所述基板的溫度范圍為20℃~60℃。

相對于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型中適用于晶圓級測試的治具具有以下有益效果：

本實(shí)用新型中，采用兼容設(shè)置于治具中的加熱棒對所述基板進(jìn)行加熱，通過基板將熱量傳遞至探針，從而加熱測試晶圓，使得測試過程中，測試晶圓的環(huán)境與使用環(huán)境接近，由于加熱棒和熱傳遞結(jié)構(gòu)的設(shè)計能較好的控制晶圓對應(yīng)的溫度，可測試高溫下晶圓的性能，提高產(chǎn)品測試的準(zhǔn)確性。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例中治具一側(cè)面的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型一實(shí)施例中治具一側(cè)面的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型一實(shí)施例中治具測試晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施的限制。

其次，本實(shí)用新型利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本實(shí)用新型實(shí)施例時，為便于說明，所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng)限制本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的適用于晶圓級測試的治具進(jìn)行詳細(xì)描述。

參考圖1和圖2所示，所述治具包括：基板1；分別位于基板1至少一側(cè)面的多個探針2及至少一個加熱棒3，本實(shí)施例中，探針2和加熱棒3分別位于基板1的正反兩側(cè)面，當(dāng)然在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中，探針2和加熱棒3還可以位于所述基板1的同一側(cè)面，本實(shí)用新型對此不予限制。

進(jìn)一步的，治具包括多個加熱棒3，例如，包括4~6個加熱棒，多個加熱棒3之間相互并聯(lián)。治具包括例如4~6個探針，每個探針2的表面具有測試用探針，并對應(yīng)一個測試晶圓上的晶粒。測試過程中，加熱棒3兩端接電源，產(chǎn)生熱量，基板1為導(dǎo)熱材料，例如鋁材料，導(dǎo)熱性能良好，所述加熱棒3通過所述基板1將熱量傳遞至所述探針2，探針2與測試晶圓接觸，通過所述探針2加熱測試晶圓。