[實(shí)用新型]一種用于動(dòng)態(tài)觀察碲鋅鎘材料化學(xué)腐蝕坑的裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720603943.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207007672U | 公開(公告)日: | 2018-02-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 虞慧嫻;楊建榮;孫士文 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 |
| 主分類號(hào): | G01N17/00 | 分類號(hào): | G01N17/00 |
| 代理公司: | 上海滬慧律師事務(wù)所31311 | 代理人: | 李秀蘭 |
| 地址: | 200083 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 動(dòng)態(tài) 觀察 碲鋅鎘 材料 化學(xué) 腐蝕 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本專利涉及材料測(cè)試加工領(lǐng)域,具體指一種用于動(dòng)態(tài)觀察碲鋅鎘材料化學(xué)腐蝕坑的裝置。
背景技術(shù)
CdZnTe可以通過組分調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)和HgCdTe材料在晶格上的完全匹配,是制備低位錯(cuò)密度HgCdTe外延材料的首選襯底,CdZnTe基HgCdTe外延材料在高性能、長(zhǎng)波、甚長(zhǎng)波、APD等第三代HgCdTe紅外探測(cè)器領(lǐng)域扮演著重要的角色。此外,CdZnTe還可用于制備太陽(yáng)能電池和γ射線探測(cè)器,CdTe太陽(yáng)能電池在太陽(yáng)能電站領(lǐng)域已占有半壁江山,CdZnTe制備的γ探測(cè)器在航天遙感技術(shù)、安檢技術(shù)、醫(yī)療診斷技術(shù)和武器裝備等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。
CdZnTe材料與Si和GaAs等半導(dǎo)體材料相比,存在生長(zhǎng)溫度高、熱導(dǎo)率低、堆壘層錯(cuò)能低、組分易分凝等諸多不利因素,此外,從Cd-Te系統(tǒng)相圖可知,CdZnTe材料在高溫下會(huì)發(fā)生化學(xué)配比偏離,極易產(chǎn)生各種夾雜和沉淀物。因此,與Si和GaAs半導(dǎo)體材料相比,CdZnTe材料中總是存在著很多微小缺陷,主要包括位錯(cuò)、沉淀物、夾雜物、層錯(cuò)、孿晶、晶界、局部應(yīng)力等。這些缺陷的存在會(huì)直接影響材料質(zhì)量,從而影響探測(cè)器的均勻性和盲元率,降低器件性能甚至導(dǎo)致器件失效,因此直觀準(zhǔn)確地評(píng)價(jià)CdZnTe材料的質(zhì)量以及深入研究各類缺陷的特性具有十分重要的意義。
化學(xué)腐蝕法是評(píng)價(jià)CdZnTe材料質(zhì)量最常用的方法,它能很好地揭露晶體中的各類缺陷,具有操作簡(jiǎn)便、成本低和樣品易制備等優(yōu)點(diǎn)。先配制一定體積的化學(xué)腐蝕液,將經(jīng)過研磨拋光后的CdZnTe材料放入腐蝕一定時(shí)間,材料存在缺陷或者局部應(yīng)力處會(huì)因擇優(yōu)腐蝕而形成凹坑,將材料取出清洗干凈,通過統(tǒng)計(jì)材料表面化學(xué)腐蝕坑的密度判斷晶體的質(zhì)量。常見的CdZnTe晶體腐蝕劑有Inoue(EAg-1、EAg-2)、Nagakawa以及Everson腐蝕劑。現(xiàn)有技術(shù)主要存在兩方面的問題:一是CdZnTe材料的腐蝕坑種類很多,對(duì)其所對(duì)應(yīng)缺陷的結(jié)構(gòu)和產(chǎn)生機(jī)理的研究缺乏有效的手段;二是各種腐蝕劑產(chǎn)生的腐蝕坑密度存在顯著差異,不同腐蝕劑產(chǎn)生的腐蝕坑之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系難以從實(shí)驗(yàn)加以確認(rèn)。產(chǎn)生這些問題的原因在于現(xiàn)有的化學(xué)腐蝕法存在以下缺點(diǎn):(1)無法定位觀察腐蝕坑形成的微觀過程和在形成機(jī)制上的差異;(2)無法定位觀察不同腐蝕液形成的腐蝕坑之間的相互關(guān)系;(3)現(xiàn)有腐蝕方法不能動(dòng)態(tài)更新腐蝕液,導(dǎo)致腐蝕條件不穩(wěn)定,工藝穩(wěn)定性比較差。綜上所述,改進(jìn)現(xiàn)有CdZnTe化學(xué)腐蝕法質(zhì)量評(píng)價(jià)技術(shù)的問題核心在于提高工藝的可控性、連續(xù)性和穩(wěn)定性,并從化學(xué)腐蝕技術(shù)中獲得材料缺陷的更多信息,具體包括實(shí)現(xiàn)化學(xué)腐蝕過程中的實(shí)時(shí)觀察與控制,實(shí)現(xiàn)精確定位觀察各類缺陷的腐蝕特性,實(shí)現(xiàn)腐蝕液的動(dòng)態(tài)更新和切換。
發(fā)明內(nèi)容
本專利的目的是為了提供一種用于動(dòng)態(tài)觀察碲鋅鎘材料化學(xué)腐蝕坑的裝置,同時(shí)解決現(xiàn)有化學(xué)腐蝕法在工藝可控性、連續(xù)性、穩(wěn)定性等方面的不足,并為研究碲鋅鎘缺陷的結(jié)構(gòu)和產(chǎn)生機(jī)理以及評(píng)價(jià)不同腐蝕液的缺陷揭示效果提供有效手段。
本專利公開了一種用于動(dòng)態(tài)觀察碲鋅鎘材料化學(xué)腐蝕坑的裝置與方法,裝置由樣品腐蝕單元、自動(dòng)進(jìn)液?jiǎn)卧U液回收單元和觀察測(cè)控單元組成。將樣品固定在可進(jìn)行光學(xué)觀察的腐蝕槽中,通過自動(dòng)進(jìn)液?jiǎn)卧獙?shí)現(xiàn)一種或多種腐蝕液和清洗液的自動(dòng)注入、動(dòng)態(tài)更新和順序切換,過程中產(chǎn)生的廢液由廢液回收單元即時(shí)回收,觀察測(cè)控單元集成了顯微鏡、CCD相機(jī)、測(cè)控軟件以及存儲(chǔ)設(shè)備,對(duì)材料腐蝕的微觀過程進(jìn)行實(shí)時(shí)觀察、采集、顯示和存儲(chǔ)。
本專利的上述目的通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
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