[實用新型]一種高效硅晶片熱場長晶裝置

有效

• 申請號: 201720589450.8
• 申請日: 2017-05-24
• 公開（公告）號: CN206418219U
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: 陳旭光;張濤;孫鵬
• 申請（專利權）人: 鎮江仁德新能源科技有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B28/06;C30B11/00
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙)32249
• 代理人: 陳國強

技術領域

本實用新型涉及光伏行業，多晶硅片制成領域、準單晶制造領域，具體為一種硅晶片熱場長晶裝置。

背景技術

硅晶片熱場長晶裝置是多晶硅片制成領域、準單晶制造領域常用的裝置?，F有的硅晶片熱場長晶裝置，對坩堝的冷氣范圍大，冷卻氣體不能重復利用，要求籽晶投放量大，籽晶質量很難控制，籽晶成本偏高。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種高效硅晶片熱場長晶裝置，以實現對坩堝點局部強冷，實現對小塊籽晶熔化、生長的有效控制，減少單堝籽晶的投放量，已達到提高硅片質量降低成本目的。

為實現上述目的，本實用新型采用的技術方案是：

一種高效硅晶片熱場長晶裝置，包括爐體，以及設置于爐體外的冷卻器，爐體內設置有保溫裝置，保溫裝置內設置有坩堝，坩堝的外側包覆有坩堝護板，坩堝護板外設置有用于對坩堝加熱形成熱場的加熱器，所述坩堝護板底部設置有冷凝板，冷凝板連接有冷卻管，冷卻管與冷卻器連接。

所述冷卻管內設置有導流管。

所述冷卻管通過接頭連接有連接管，連接管與冷卻器連接。

所述冷卻管的端部插入冷凝板內部，與坩堝護板底部接觸。

所述冷卻管與坩堝護板接觸位置位于坩堝護板底部的中心點處。

所述加熱器包括設置于坩堝護板側邊的環形加熱器，以及位于坩堝護板頂部上方的加熱器。

有益效果：本實用新型通過惰性氣體循環對冷卻管上部冷卻，從而對坩堝護板底中部、坩堝底中部、坩堝底中部的籽晶冷卻，控制籽晶的熔化及長晶速度?？梢杂酶俚淖丫硗瓿设T錠，從而達到降低鑄錠成本。用更好的籽晶來完成鑄錠，從而達到提高鑄錠質量目的。解決了現有工藝籽晶用量多，質量、成本難控制的問題。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型做更進一步的解釋。

一種高效硅晶片熱場長晶裝置，包括爐體9，以及設置于爐體外的冷卻器8，爐體9內設置有保溫裝置11，保溫裝置11內設置有坩堝2，坩堝2的外側包覆有坩堝護板1，坩堝護板1外設置有用于對坩堝2加熱形成熱場的加熱器10，所述坩堝護板1底部設置有冷凝板3，冷凝板3連接有冷卻管4，冷卻管4內設置有導流管5，冷卻管4通過接頭6連接有連接管7，連接管7與冷卻器8連接。

冷卻管4的端部插入冷凝板3內部，與坩堝護板1底部接觸；冷卻管4與坩堝護板1接觸位置位于坩堝護板1底部的中心點處。

加熱器10包括設置于坩堝護板1側邊的環形加熱器，以及位于坩堝護板1頂部上方的加熱器，分別對坩堝2的側面以及頂部提供熱場。

本實用新型通過惰性氣體循環對冷卻管上部冷卻，從而對坩堝護板底中部、坩堝底中部、坩堝底中部的籽晶冷卻，控制籽晶的熔化及長晶速度?？梢杂酶俚淖丫硗瓿设T錠，從而達到降低鑄錠成本。用更好的籽晶來完成鑄錠，從而達到提高鑄錠質量目的。解決了現有工藝籽晶用量多，質量、成本難控制的問題。

以上所述僅是本實用新型的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本實用新型的保護范圍。