[實用新型]一種類島狀電子傳輸的薄膜晶體管有效
| 申請號： | 201720576037.8 | 申請日： | 2017-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN206834182U | 公開（公告）日： | 2018-01-02 |
| 發明（設計）人： | 寧洪龍;曾勇;姚日暉;鄭澤科;章紅科;徐苗;王磊;彭俊彪 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/221;H01L29/227;H01L29/24;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司44245 | 代理人： | 羅嘯秋 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 種類 電子 傳輸 薄膜晶體管 | ||
【權利要求書】：
1.一種類島狀電子傳輸的薄膜晶體管，由襯底上依次設置的柵極、柵極絕緣層、有源層和源漏電極構成；其特征在于：所述有源層為非連續的類島狀TCO薄膜和低載流子濃度材料薄膜組成的疊層結構，其中低載流子濃度材料薄膜連接相鄰兩個類島狀TCO薄膜，形成一個導電通道。
2.根據權利要求1所述的一種類島狀電子傳輸的薄膜晶體管，其特征在于：所述類島狀TCO薄膜的材料為氧化鋅或摻雜氧化鋅、氧化銦或摻雜氧化銦。
3.根據權利要求2所述的一種類島狀電子傳輸的薄膜晶體管，其特征在于：所述摻雜氧化鋅是指摻鋁氧化鋅，所述摻雜氧化銦是指摻錫氧化銦。
4.根據權利要求1所述的一種類島狀電子傳輸的薄膜晶體管，其特征在于：所述低載流子濃度材料為Al2O3、Ga2O3或HfO2。
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