[實用新型]一種可在不同襯底塊同步生長的兩用MOCVD襯底架托盤結構

有效

• 申請號: 201720575271.9
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN206992077U
• 公開（公告）日: 2018-02-09
• 發明（設計）人: 宋亞峰;楊超普;曹娜;宋如普;蘇淑英;宋亞光
• 申請（專利權）人: 商洛學院;宋亞峰
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;C23C16/458
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙)11350
• 代理人: 湯東鳳

技術領域

本實用新型涉及MOCVD等半導體外延生長設備領域，尤其涉及一種可以同時在多種不同襯底上同步生長外延結構的兩用MOCVD襯底架托盤結構。

背景技術

金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)等半導體外延生長技術是LED芯片等半導體器件制造的研究及產業化中的最關鍵技術，而研究不同種類、不同緩沖層的襯底在生長同樣的器件結構時對器件性能的影響有很重要的意義；而現有的MOCVD設備只支持整塊襯底的整體生長外延層，后期制作器件時才切割成塊，這樣的工藝流程在某些方面有些不足之處,對于已經切割好的方形襯底塊則無法在上面生長，而且不便于在同等生長條件下研究不同種類、不同緩沖層的襯底對器件性能的影響。

實用新型內容

本實用新型的目的就在于為了解決上述問題而提供一種可在不同襯底塊同步生長的兩用MOCVD襯底架托盤結構。

本實用新型通過以下技術方案來實現上述目的：

本實用新型包括石墨托盤、襯底架外框片槽、襯底外框安裝留槽、襯底架石墨外框、石墨襯底架、方形片槽、襯底塊安裝留槽、方塊襯底，圓形襯底和石墨墊片，所述石墨托盤上設置有三個正六邊形的襯底架外框片槽，所述襯底架外框片槽的邊緣上設置多個所述襯底外框安裝留槽，所述襯底架石墨外框為三個，三個所述襯底架石墨外框位于所述襯底架外框片槽內，所述石墨襯底架為圓形，所述石墨襯底架位于所述襯底架石墨外框內，所述石墨襯底架內的底部設置所述石墨墊片，所述石墨墊片上設置有所述圓形襯底，所述圓形襯底上設置有四個正方形的方形片槽，所述方形片槽的邊緣設置所述襯底塊安裝留槽，所述方塊襯底位于所述方形片槽內。

具體地，所述方形片槽的一側且位于所述圓形襯底上設置有襯底編號刻碼。所述襯底架外框片槽的一側且位于所述石墨托盤上設置有襯底架片槽編號刻碼。

本實用新型的有益效果在于：

本實用新型是一種可在不同襯底塊同步生長的兩用MOCVD襯底架托盤結構，與現有技術相比，本實用新型讓生長人員可以根據自己的需要，既可以將已經切割成塊的襯底直接生長外延結構，也可以照傳統的方法在一整塊圓襯底上先生長完外延結構再切割，而且還可以將不同襯底在相同條件下生長的外延結構同時進行材料測試和器件性能測試的對比，新舊工藝非常兼容，而且很便于生長者根據實際需要選擇方案生長及研究不同襯底對生長結果的影響等問題。

附圖說明

圖1是本實用新型的結構示意圖；

圖2是本實用新型的截面結構示意圖；

圖3是本實用新型未切割的圓形襯底部分截面結構示意圖。

圖中：1-石墨托盤、2-襯底架外框片槽、3-襯底外框安裝留槽，4-襯底架片槽編號刻碼、5-襯底架石墨外框、6-石墨襯底架、7-方形片槽、8-襯底塊安裝留槽，9-襯底編號刻碼、10-方塊襯底，11-圓形襯底、12-石墨墊片。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型作進一步說明：

如圖1、圖2和圖3所示：本實用新型包括石墨托盤1、襯底架外框片槽2、襯底外框安裝留槽3、襯底架石墨外框5、石墨襯底架6、方形片槽7、襯底塊安裝留槽8、方塊襯底10，圓形襯底11和石墨墊片12，所述石墨托盤1上設置有三個正六邊形的襯底架外框片槽2，所述襯底架外框片槽2的邊緣上設置多個所述襯底外框安裝留槽3，所述襯底架石墨外框5為三個，三個所述襯底架石墨外框5位于所述襯底架外框片槽2內，所述石墨襯底架6為圓形，所述石墨襯底架6位于所述襯底架石墨外框5內，所述石墨襯底架6內的底部設置所述石墨墊片12，所述石墨墊片12上設置有所述圓形襯底11，所述圓形襯底11上設置有四個正方形的方形片槽7，所述方形片槽7的邊緣設置所述襯底塊安裝留槽8，所述方塊襯底10位于所述方形片槽7內。

具體地，所述方形片槽7的一側且位于所述圓形襯底上設置有襯底編號刻碼9。所述襯底架外框片槽2的一側且位于所述石墨托盤1上設置有襯底架片槽編號刻碼4。