[實用新型]一種用于檢測平面VDMOS柵擊穿的測試結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720569645.6
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN206878006U
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 肖添;唐昭煥;王斌;吳雪;劉勇;鐘怡;楊永暉;胡鏡影;李孝權(quán);黃彬
• 申請（專利權(quán)）人: 重慶中科渝芯電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L23/58
• 代理公司: 重慶大學(xué)專利中心50201
• 代理人: 王翔

1.一種用于檢測平面VDMOS柵擊穿的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括外延層(1)、阱區(qū)(2)、源區(qū)(3)、柵氧層(4)、介質(zhì)層(6)、開孔區(qū)(9)、金屬層(7)、多晶電容板(5)和多晶保護環(huán)(8)；

所述阱區(qū)(2)覆蓋在外延層(1)之上的部分表面；

所述源區(qū)(3)覆蓋在阱區(qū)(2)之上；

所述柵氧層(4)包括中心區(qū)域和環(huán)狀區(qū)域；所述柵氧層(4)的中心區(qū)域覆蓋在外延層(1)之上的部分表面，還覆蓋在阱區(qū)(2)和源區(qū)(3)之上的部分表面；所述柵氧層(4)的環(huán)狀區(qū)域的一端覆蓋在外延層(1)之上的部分表面，另一端覆蓋在源區(qū)(3)之上的部分表面；

所述多晶電容板(5)覆蓋在柵氧層(4)的中心區(qū)域之上；

所述多晶保護環(huán)(8)覆蓋在柵氧層(4)的環(huán)狀區(qū)域之上；

所述介質(zhì)層(6)位于柵氧層(4)的中心區(qū)域和環(huán)狀區(qū)域之間；所述介質(zhì)層(6)覆蓋在外延層(1)之上的部分表面，所述介質(zhì)層(6)還覆蓋在源區(qū)(3)之上的部分表面；所述介質(zhì)層(6)與柵氧層(4)、多晶電容板(5)和多晶保護環(huán)(8)相接觸；

所述金屬層(7)覆蓋在多晶電容板(5)之上的部分表面、介質(zhì)層(6)之上的部分表面和源區(qū)(3)之上的部分表面；

該測試結(jié)構(gòu)包括兩個PAD；其中，PAD1接襯底，PAD2接多晶電容板(5)；

所述多晶電容板(5)、柵氧層(4)、外延層(1)、阱區(qū)(2)和源區(qū)(3)組成電容板測試區(qū)；電容板上的開孔區(qū)(9)嵌套于多晶電容板(5)內(nèi)部，單邊距離在2um以上，之后互聯(lián)金屬引出電極，形成PAD2；

所述阱區(qū)(2)和源區(qū)(3)圍繞多晶電容板(5)邊緣進摻雜，且與實際VDMOS原胞的阱區(qū)(2)和源區(qū)(3)摻雜尺寸一致；在多晶電容板(5)的一側(cè)將阱區(qū)(2)和源區(qū)(3)引出至另一端，并開孔和互聯(lián)金屬引出電極，形成PAD1；

所述多晶電容板(5)周圍有一圈多晶保護環(huán)(8)，多晶保護環(huán)(8)寬度和間距與實際VDMOS原胞尺寸保持一致。