[實用新型]一種改善上錫不良及高速信號回流路徑的PCB結構有效
| 申請號： | 201720555271.2 | 申請日： | 2017-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN206759805U | 公開（公告）日： | 2017-12-15 |
| 發明（設計）人： | 張春麗 | 申請（專利權）人： | 鄭州云海信息技術有限公司 |
| 主分類號： | H05K1/02 | 分類號： | H05K1/02;H05K1/11 |
| 代理公司： | 濟南舜源專利事務所有限公司37205 | 代理人： | 張亮 |
| 地址： | 450000 河南省鄭州市*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 不良 高速 信號 回流 路徑 pcb 結構 | ||
1.一種改善上錫不良及高速信號回流路徑的PCB結構，其特征在于，包括頂層，內層，底層，高速信號線，回流地孔，直插芯片的接地管腳，與所述直插芯片的接地管腳焊接配合的焊盤機構；
內層包括高速信號層，地層，高速信號線設置在高速信號層；
所述焊盤機構包括設置在頂層的頂層焊盤，設置在底層的底層焊盤，連接頂層焊盤與底層焊盤的電鍍鉆孔，電鍍鉆孔與每個內層形成一個挖空部，使得電鍍鉆孔與內層之間為間隙結構；
回流地孔設置在焊盤機構周邊。
2.如權利要求1所述的一種改善上錫不良及高速信號回流路徑的PCB結構，其特征在于，高速信號層為若干層，地層為若干層。
3.如權利要求1所述的一種改善上錫不良及高速信號回流路徑的PCB結構，其特征在于，挖空部采用反焊盤。
4.如權利要求1所述的一種改善上錫不良及高速信號回流路徑的PCB結構，其特征在于，回流地孔為通孔貫穿頂層和底層。
5.如權利要求1所述的一種改善上錫不良及高速信號回流路徑的PCB結構，其特征在于，回流地孔為埋孔貫穿高速信號層與地層。
6.如權利要求1所述的一種改善上錫不良及高速信號回流路徑的PCB結構，其特征在于，回流地孔為盲孔貫穿高速信號層與頂層或底層。
7.如權利要求1所述的一種改善上錫不良及高速信號回流路徑的PCB結構，其特征在于，所述高速信號線包括差分信號線。
8.如權利要求1所述的一種改善上錫不良及高速信號回流路徑的PCB結構，其特征在于，所述直插芯片的接地管腳數量為若干個，與所述直插芯片的接地管腳焊接配合的焊盤機構數量與直插芯片的接地管腳數量相等，回流地孔的數目為焊盤機構數目的倍數。
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