[實(shí)用新型]一種硅片的分選組件及硅片測(cè)試儀

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720554247.7
• 申請(qǐng)日: 2017-05-18
• 公開（公告）號(hào): CN206921842U
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李琰琪;王栩生;涂修文;邢國(guó)強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L21/66
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 胡彬

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及硅片測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種硅片的分選組件及硅片測(cè)試儀。

背景技術(shù)

光伏檢測(cè)綜合分析系統(tǒng)(Photoluminescence，PL)和紅外缺陷測(cè)試儀(Electroluminescence，EL)是非常重要的光伏測(cè)試儀器，它們能有效分辨出硅片的缺陷，如絨絲、黑邊、黑心、結(jié)區(qū)摩擦、漏漿、斷柵、反向擊穿、燒結(jié)不良等，其功能相當(dāng)于太陽能硅片測(cè)試的“眼睛”，尤其是PL更是在電池片的制造起點(diǎn)起到一個(gè)“監(jiān)控”作用。

其中，絨絲是硅片比較常見的缺陷之一。絨絲會(huì)造成太陽能電池低開壓、低短路電流、低少子壽命等一系列問題，并存在弱光風(fēng)險(xiǎn)，因此各個(gè)廠家對(duì)絨絲的把控十分嚴(yán)格。

目前行業(yè)普遍認(rèn)為，當(dāng)硅片的絨絲區(qū)域的面積大于硅片面積的10％時(shí)，稱之為絨絲異常，則硅片不合格。但現(xiàn)有技術(shù)中并沒有精確計(jì)算絨絲區(qū)域面積及絨絲位置的方法，硅片是否合格的判斷準(zhǔn)確度也不高。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的第一目的在于提出一種能夠計(jì)算硅片的缺陷區(qū)域的面積的分選組件。

為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

一種硅片的分選組件，用于硅片測(cè)試儀，包括覆蓋于硅片測(cè)試儀的屏幕上的分選屏，所述分選屏的表面設(shè)置有分選區(qū)域，所述分選區(qū)域與所述屏幕上顯示的硅片的圖像所在區(qū)域重合，所述分選區(qū)域均分為多個(gè)第一子單元，當(dāng)所述屏幕上顯示的硅片的圖像存在缺陷區(qū)域時(shí)，所述缺陷區(qū)域覆蓋所述第一子單元的個(gè)數(shù)占所述第一子單元的總數(shù)之比，即為硅片中缺陷區(qū)域所占面積；和/或所述分選區(qū)域內(nèi)設(shè)置有第一坐標(biāo)系，根據(jù)所述第一坐標(biāo)系讀出所述缺陷區(qū)域的邊長(zhǎng)和高，以得到所述缺陷區(qū)域的面積。

其中，所述分選區(qū)域包括多條橫向刻度線和縱向刻度線，多條所述橫向刻度線與所述縱向刻度線圍成多個(gè)所述第一子單元，所述第一坐標(biāo)系的橫坐標(biāo)軸與一條所述橫向刻度線重合，所述第一坐標(biāo)系的縱坐標(biāo)軸與一條所述縱向刻度線重合。

其中，所述第一坐標(biāo)系以所述分選屏的中心為原點(diǎn)。

其中，還包括硅片對(duì)應(yīng)屏，所述硅片對(duì)應(yīng)屏與硅片的大小相等，所述硅片對(duì)應(yīng)屏的表面均分為多個(gè)第二子單元，所述第二子單元與所述第一子單元數(shù)量相同。

其中，所述硅片對(duì)應(yīng)屏還設(shè)置有第二坐標(biāo)系，所述第二坐標(biāo)系用于確定缺陷區(qū)域中的缺陷的位置。

其中，所述硅片對(duì)應(yīng)屏由玻璃或塑料材質(zhì)屏。

其中，所述分選屏為柔性塑料透明貼紙、玻璃板或塑料板。

其中，所述缺陷區(qū)域?yàn)榫哂薪q絲、黑邊、黑心、結(jié)區(qū)摩擦、漏漿、斷柵、反向擊穿或燒結(jié)不良的區(qū)域。

本實(shí)用新型的第二目的在于提出一種能夠計(jì)算硅片的缺陷區(qū)域的面積的硅片測(cè)試儀。

為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

一種硅片測(cè)試儀，包括上述的分選組件。

其中，所述測(cè)試儀為PL測(cè)試儀或EL測(cè)試儀。

有益效果：本實(shí)用新型提供了一種硅片的分選組件及硅片測(cè)試儀。該硅片的分選組件用于硅片測(cè)試儀，包括覆蓋于硅片測(cè)試儀的屏幕上的分選屏，所述分選屏的表面設(shè)置有分選區(qū)域，所述分選區(qū)域與所述屏幕上顯示的硅片的圖像所在區(qū)域重合，所述分選區(qū)域均分為多個(gè)第一子單元，當(dāng)所述屏幕上顯示的硅片的圖像存在缺陷區(qū)域時(shí)，所述缺陷區(qū)域覆蓋所述第一子單元的個(gè)數(shù)占所述第一子單元的總數(shù)之比，即為硅片中缺陷區(qū)域所占面積；和/或所述分選區(qū)域內(nèi)設(shè)置有第一坐標(biāo)系，根據(jù)所述第一坐標(biāo)系讀出所述缺陷區(qū)域的邊長(zhǎng)和高，以得到所述缺陷區(qū)域的面積。通過劃分第一子單元，工作人員可以快速、準(zhǔn)確地計(jì)算缺陷區(qū)域所占的面積，判斷硅片是否合格，從而提高分選硅片的準(zhǔn)確率，從而提高太陽能電池片的質(zhì)量。

附圖說明

圖1是具有絨絲的硅片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例1提供的分選屏的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例2提供的一種分選屏的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例2提供的另一種分選屏的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例2提供的分選屏劃分第一子單元的區(qū)域與硅片的圖像重合后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本實(shí)用新型提供的硅片對(duì)應(yīng)屏的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本實(shí)用新型提供的硅片對(duì)應(yīng)屏與硅片的圖像重合后的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：

1、分選屏；11、第一子單元；

2、硅片對(duì)應(yīng)屏；21、第二子單元；

3、硅片；31、缺陷區(qū)域。

具體實(shí)施方式