[實用新型]一種無引線框架的半導體封裝結構

有效

• 申請號: 201720550529.X
• 申請日: 2017-05-16
• 公開（公告）號: CN206806321U
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發明（設計）人: 徐振杰;高子陽;黃源煒;曹周
• 申請（專利權）人: 杰群電子科技（東莞）有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 胡彬

技術領域

本實用新型涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種無引線框架的半導體封裝結構。

背景技術

在半導體封裝過程中常采用引線框架作為集成電路的芯片載體，引線框架是一種借助于鍵合材料(金絲、鋁絲、銅絲)實現芯片內部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關鍵結構件，它起到了和外部導線連接的橋梁作用，絕大部分的半導體集成塊中都需要使用引線框架，引線框架是電子信息產業中重要的基礎材料。

隨著半導體集成度增加和終端電子產品體積縮小的發展，半導體元器件封裝集成度也越來越高，芯片產生的熱量需要及時且有效的散發，否則將阻礙半導體元器件正常高效的工作，特別是在使用功率較大的芯片(如功率芯片和二極管芯片等)時，更需要及時的對芯片進行散熱處理。而目前大多的半導體封裝件是在一引線框架上回流焊芯片，再利用封膠作業，以形成用于包覆該芯片的封裝膠體。其中，用以包覆芯片的封裝膠體多為散熱性差的環氧樹脂(Epoxy Resin)類的材料，因此半導體芯片在運行時所產生的熱量將無法經由封裝膠體有效散發至外界，造成熱量散發效率低，進而影響到半導體芯片的性能。

實用新型內容

本實用新型的目的在于：提供一種無引線框架的半導體封裝結構，其結構簡單，散熱效果好。

為達上述目的，本實用新型采用以下技術方案：

提供一種無引線框架的半導體封裝結構，包括：

絕緣金屬基板，其包括金屬層、散熱層以及用于隔離兩者的絕緣層；

至少一芯片，其固定于所述金屬層上并位于所述金屬層遠離所述絕緣層的一側，所述散熱層至少覆蓋所述芯片對應的區域，所述芯片與所述金屬層之間通過金屬線和/或金屬橋連接；

封裝件，其包覆所述絕緣金屬基板和所述芯片，并至少使所述散熱層遠離所述絕緣層的一側外露出所述封裝件，所述封裝件采用絕緣介電材料制成。

作為無引線框架的半導體封裝結構的一種優選方案，所述芯片遠離所述絕緣金屬基板的一側設置輔助散熱板。

作為無引線框架的半導體封裝結構的一種優選方案，所述輔助散熱板包括依次設置在所述芯片遠離所述絕緣金屬基板的一側的輔助金屬層、輔助絕緣層以及輔助散熱層，其中，所述輔助散熱層遠離所述輔助絕緣層的一側外露出所述封裝件。

作為無引線框架的半導體封裝結構的一種優選方案，所述絕緣金屬基板上間隔設置控制芯片、功率芯片以及二極管芯片。

作為無引線框架的半導體封裝結構的一種優選方案，所述控制芯片通過金屬線與所述絕緣金屬基板的所述金屬層連接，所述控制芯片、所述功率芯片以及所述二極管芯片之間通過金屬線連接，所述二極管芯片通過金屬線與所述絕緣金屬基板的所述金屬層連接。

作為無引線框架的半導體封裝結構的一種優選方案，所述控制芯片通過金屬線分別與所述絕緣金屬基板的所述金屬層和所述功率芯片連接，所述功率芯片與所述二極管芯片之間通過金屬橋連接，所述二極管芯片通過金屬橋與所述絕緣金屬基板的所述金屬層連接。

作為無引線框架的半導體封裝結構的一種優選方案，述控制芯片通過金屬線分別與所述絕緣金屬基板的所述金屬層和所述功率芯片連接，所述功率芯片和所述二極管芯片遠離所述絕緣金屬基板的所述金屬層的一側設置輔助散熱板，所述功率芯片與所述二極管芯片之間通過所述輔助散熱板的輔助金屬層連接，所述輔助散熱板的所述輔助金屬層與所述絕緣金屬基板的所述金屬層連接。

作為無引線框架的半導體封裝結構的一種優選方案，所述輔助散熱板的所述輔助金屬層通過過渡金屬板與所述絕緣金屬基板的所述金屬層連接。

作為無引線框架的半導體封裝結構的一種優選方案，所述封裝件為環氧樹脂封裝膠。

作為無引線框架的半導體封裝結構的一種優選方案，所述絕緣金屬基板的所述散熱層為金屬散熱層。

優選的，所述散熱層為銅層、錫層、鋁層或鋁合金層。

本實用新型的有益效果為：通過將芯片設置在絕緣金屬基板上，可以利用此絕緣金屬基板為芯片提供散熱的需求，絕緣層可保證金屬層和散熱層高壓絕緣，金屬層可提供芯片電路導通，采用金屬層、絕緣層以及散熱層構成的絕緣金屬基板替代常用的引線框架，克服了現有產品使用金屬引線框架不能同時具備絕緣導熱的能力的缺陷，且本方案的無引線框架的半導體封裝結構具有結構簡單，高散熱性的優點。

附圖說明

下面根據附圖和實施例對本實用新型作進一步詳細說明。

圖1為本實用新型一實施例所述的無引線框架的半導體封裝結構的剖視示意圖。