[實用新型]一種無引線框架的半導體封裝結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720550529.X
• 申請日: 2017-05-16
• 公開（公告）號: CN206806321U
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發(fā)明（設計）人: 徐振杰;高子陽;黃源煒;曹周
• 申請（專利權）人: 杰群電子科技（東莞）有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 胡彬

1.一種無引線框架的半導體封裝結構，其特征在于，包括：

絕緣金屬基板，其包括金屬層、散熱層以及用于隔離兩者的絕緣層；

至少一芯片，其固定于所述金屬層上并位于所述金屬層遠離所述絕緣層的一側，所述散熱層至少覆蓋所述芯片對應的區(qū)域，所述芯片與所述金屬層之間通過金屬線和/或金屬橋連接；

封裝件，其包覆所述絕緣金屬基板和所述芯片，并至少使所述散熱層遠離所述絕緣層的一側外露出所述封裝件，所述封裝件采用絕緣介電材料制成。

2.根據(jù)權利要求1所述的無引線框架的半導體封裝結構，其特征在于，所述芯片遠離所述絕緣金屬基板的一側設置輔助散熱板。

3.根據(jù)權利要求2所述的無引線框架的半導體封裝結構，其特征在于，所述輔助散熱板包括依次設置在所述芯片遠離所述絕緣金屬基板的一側的輔助金屬層、輔助絕緣層以及輔助散熱層，其中，所述輔助散熱層遠離所述輔助絕緣層的一側外露出所述封裝件。

4.根據(jù)權利要求2所述的無引線框架的半導體封裝結構，其特征在于，所述絕緣金屬基板上間隔設置控制芯片、功率芯片以及二極管芯片。

5.根據(jù)權利要求4所述的無引線框架的半導體封裝結構，其特征在于，所述控制芯片通過金屬線與所述絕緣金屬基板的所述金屬層連接，所述控制芯片、所述功率芯片以及所述二極管芯片之間通過金屬線連接，所述二極管芯片通過金屬線與所述絕緣金屬基板的所述金屬層連接。

6.根據(jù)權利要求4所述的無引線框架的半導體封裝結構，其特征在于，所述控制芯片通過金屬線分別與所述絕緣金屬基板的所述金屬層和所述功率芯片連接，所述功率芯片與所述二極管芯片之間通過金屬橋連接，所述二極管芯片通過金屬橋與所述絕緣金屬基板的所述金屬層連接。

7.根據(jù)權利要求4所述的無引線框架的半導體封裝結構，其特征在于，所述控制芯片通過金屬線分別與所述絕緣金屬基板的所述金屬層和所述功率芯片連接，所述功率芯片和所述二極管芯片遠離所述絕緣金屬基板的所述金屬層的一側設置輔助散熱板，所述功率芯片與所述二極管芯片之間通過所述輔助散熱板的輔助金屬層連接，所述輔助散熱板的所述輔助金屬層與所述絕緣金屬基板的所述金屬層連接。

8.根據(jù)權利要求7所述的無引線框架的半導體封裝結構，其特征在于，所述輔助散熱板的所述輔助金屬層通過過渡金屬板與所述絕緣金屬基板的所述金屬層連接。

9.根據(jù)權利要求1至8任一項所述的無引線框架的半導體封裝結構，其特征在于，所述封裝件為環(huán)氧樹脂封裝膠。

10.根據(jù)權利要求1至8任一項所述的無引線框架的半導體封裝結構，其特征在于，所述絕緣金屬基板的所述散熱層為金屬散熱層。