[實用新型]一種真空刻蝕用抽氣裝置有效
| 申請號： | 201720550489.9 | 申請日： | 2017-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN206947300U | 公開（公告）日： | 2018-01-30 |
| 發明（設計）人： | 張惠琳 | 申請（專利權）人： | 信豐福昌發電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 蘇州潤桐嘉業知識產權代理有限公司32261 | 代理人： | 趙麗麗 |
| 地址： | 341600 江西*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 真空 刻蝕 用抽氣 裝置 | ||
1.一種真空刻蝕用抽氣裝置，包括真空腔(1)、抽氣腔(2)和刻蝕設備(3)，其特征在于，所述真空腔(1)通過輸出管(11)與抽氣腔(2)相通連接，所述輸出管(11)與真空腔(1)連接處設置有防回流彈片(13)，所述防回流彈片(13)的輸出端對應抽氣腔(2)設置，所述抽氣腔(2)內對應輸出管(11)的末端設置有擋板(22)，且抽氣腔(2)內對應擋板(22)設置有反射板(23)，所述抽氣腔(2)通過抽氣管(211)安裝有分子泵(21)，所述分子泵(21)設置在抽氣腔(2)的外部，所述刻蝕設備(3)與真空腔(1)相通連接。
2.根據權利要求1所述的一種真空刻蝕用抽氣裝置，其特征在于，所述輸出管(11)上設置有調節閥(12)，所述調節閥(12)為調節球閥。
3.根據權利要求1所述的一種真空刻蝕用抽氣裝置，其特征在于，所述擋板(22)呈折彎狀設置，且擋板(22)折彎處設置有通口(221)。
4.根據權利要求1所述的一種真空刻蝕用抽氣裝置，其特征在于，所述抽氣管(211)與抽氣腔(2)連接處設置有防回流彈片二(212)，所述防回流彈片二(212)的輸出端對應分子泵(21)設置。
5.根據權利要求1所述的一種真空刻蝕用抽氣裝置，其特征在于，所述反射板(23)固定安裝在抽氣腔(2)對應擋板(22)的上方，且反射板(23)設置有反射凸點(231)，所述反射凸點(231)的端部向抽氣管(211)傾斜。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
