[實(shí)用新型]薄膜晶體管及陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720546365.3
• 申請(qǐng)日: 2017-05-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN206819997U
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王威
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/786
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11372
• 代理人: 吳大建,何嬌

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別地涉及一種薄膜晶體管及陣列基板和顯示裝置。

背景技術(shù)

目前高解析度的低溫多晶硅液晶顯示器(LTPS LCD)，其顯示面板已成為主流，當(dāng)每英寸所有的像素?cái)?shù)目(PPI)越高時(shí)，人眼看到的畫(huà)面就越細(xì)膩，因此要求顯示面板單位面積的的像素結(jié)構(gòu)越來(lái)越多。目前LTPS LCD像素的薄膜晶體管(TFT)多采用雙柵(Dual-Gate)結(jié)構(gòu)，每個(gè)像素結(jié)構(gòu)(Pixel)中數(shù)據(jù)線(xiàn)(Date)與多晶硅層(P-Si)通過(guò)一個(gè)過(guò)孔(ILD孔)連接。高PPI顯示面板帶給我們更細(xì)膩顯示畫(huà)面的同時(shí)，也對(duì)生產(chǎn)工藝提出了更高的挑戰(zhàn)，要求所有ILD孔都能正常導(dǎo)通。在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，經(jīng)常會(huì)因個(gè)別孔未開(kāi)導(dǎo)致整個(gè)顯示面板出現(xiàn)暗點(diǎn)，影響顯示面板品質(zhì)與良率。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型提供一種薄膜晶體管，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的薄膜晶體管容易出現(xiàn)暗點(diǎn)的技術(shù)問(wèn)題。

本實(shí)用新型提供一種薄膜晶體管，包括介質(zhì)層，所述介質(zhì)層上設(shè)置有數(shù)據(jù)線(xiàn)和防暗點(diǎn)裝置，所述防暗點(diǎn)裝置沿所述數(shù)據(jù)線(xiàn)設(shè)置；每條所述數(shù)據(jù)線(xiàn)上對(duì)應(yīng)的所述防暗點(diǎn)裝置的數(shù)量至少為兩個(gè)。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述防暗點(diǎn)裝置為過(guò)孔。

在一個(gè)實(shí)施方式中，還包括位于所述介質(zhì)層下方的有源層，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)通過(guò)所述過(guò)孔與所述有源層相連。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述有源層由低溫多晶硅薄膜進(jìn)行圖案化處理形成。

在一個(gè)實(shí)施方式中，還包括位于所述介質(zhì)層上方的源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極分別與所述有源層相連。

在一個(gè)實(shí)施方式中，還包括柵極，所述柵極由導(dǎo)電材料制成；所述柵極分別與所述源電極和所述漏電極之間形成多晶硅硅島圖案。

在一個(gè)實(shí)施方式中，還包括位于所述有源層下方的基底，所述有源層與所述基底從下而上依次設(shè)置有遮光層和緩沖層。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)為金屬引線(xiàn)。

本實(shí)用新型還提供一種陣列基板，包括上述的薄膜晶體管。

本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：通過(guò)采用沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)設(shè)置防暗點(diǎn)裝置，即使因制程中因存在異物而導(dǎo)致一個(gè)過(guò)孔未開(kāi)，但是仍能通過(guò)防暗點(diǎn)裝置將數(shù)據(jù)線(xiàn)與有源層連通，使相應(yīng)像素結(jié)構(gòu)即可正常顯示，可以大大降低因過(guò)孔未開(kāi)而出現(xiàn)暗點(diǎn)的概率，提升顯示面板品質(zhì)的同時(shí)，也改善了良品率。

附圖說(shuō)明

在下文中將基于實(shí)施例并參考附圖來(lái)對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更詳細(xì)的描述。

圖1是本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中薄膜晶體管的整體示意圖；

圖2是本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：

1-介質(zhì)層； 2-數(shù)據(jù)線(xiàn)；3-防暗點(diǎn)裝置；

4-有源層； 5-源電極；6-漏電極；

7-柵極； 8-基底；9-遮光層；

10-緩沖層。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。

如圖1所示，本實(shí)用新型提供一種薄膜晶體管，其包括介質(zhì)層1，介質(zhì)層1上設(shè)置有數(shù)據(jù)線(xiàn)2和防暗點(diǎn)裝置3，防暗點(diǎn)裝置3沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)2設(shè)置，每條數(shù)據(jù)線(xiàn)2上對(duì)應(yīng)的防暗點(diǎn)裝置3的數(shù)量至少為兩個(gè)。

防暗點(diǎn)裝置3為過(guò)孔。由于目前的低溫多晶硅薄膜晶體管均采用單一過(guò)孔實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)線(xiàn)與有源層即多晶硅層之間的連接，但是過(guò)孔容易受到制程中異物的影響而導(dǎo)致個(gè)別過(guò)孔未開(kāi)，從而導(dǎo)致顯示畫(huà)面出現(xiàn)常暗點(diǎn)的現(xiàn)象。因此本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置兩個(gè)或兩個(gè)以上的過(guò)孔，以提高數(shù)據(jù)線(xiàn)與多晶硅層之間正常導(dǎo)通的概率。即使有個(gè)別過(guò)孔未開(kāi)，但只要該條數(shù)據(jù)線(xiàn)上對(duì)應(yīng)的過(guò)孔有一個(gè)是打開(kāi)狀態(tài)，則就能保證數(shù)據(jù)線(xiàn)與多晶硅層之間的導(dǎo)通，因此降低了暗點(diǎn)出現(xiàn)的概率，使顯示面板品質(zhì)得到改善，提高生產(chǎn)良率。

此外，設(shè)置多個(gè)過(guò)孔在工藝上簡(jiǎn)單可行，不會(huì)為生產(chǎn)帶來(lái)過(guò)多的壓力。

在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，薄膜晶體管還包括位于介質(zhì)層1下方的有源層4(如圖2所示)，數(shù)據(jù)線(xiàn)2通過(guò)過(guò)孔與有源層4相連。

在本實(shí)施例中，有源層4由低溫多晶硅薄膜進(jìn)行圖案化處理形成。

可選地，通過(guò)灰階掩膜曝光、刻蝕等常見(jiàn)的構(gòu)圖工藝來(lái)進(jìn)行圖形化，形成有源層4。

在本實(shí)施例中，薄膜晶體管還包括位于介質(zhì)層1上方的源電極5和漏電極6，源電極5和漏電極6分別與有源層4相連。其中，源電極5和漏電極6均由導(dǎo)電材料制成。優(yōu)選地，該導(dǎo)電材料為金屬材料，比如鋁、鋅、錫、鏌、鎢、鈦等常用金屬，或者金屬合金材料。