[實用新型]薄膜晶體管及陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201720546365.3
• 申請日: 2017-05-17
• 公開（公告）號: CN206819997U
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 王威
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司11372
• 代理人: 吳大建,何嬌

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括介質層(1)，所述介質層(1)上設置有數據線(2)和防暗點裝置(3)，所述防暗點裝置(3)沿所述數據線(2)設置，每條所述數據線(2)上對應的所述防暗點裝置(3)的數量至少為兩個。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述防暗點裝置(3)為過孔。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括位于所述介質層(1)下方的有源層(4)，所述數據線(2)通過所述過孔與所述有源層(4)相連。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層(4)由低溫多晶硅薄膜進行圖案化處理形成。

5.根據權利要求3或4所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括位于所述介質層(1)上方的源電極(5)和漏電極(6)，所述源電極(5)和所述漏電極(6)分別與所述有源層(4)相連。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括柵極(7)，所述柵極(7)由導電材料制成；所述柵極(7)分別與所述源電極(5)和所述漏電極(6)之間形成多晶硅硅島圖案。

7.根據權利要求3或4所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括位于所述有源層(4)下方的基底(8)，所述有源層(4)與所述基底(8)從下而上依次設置有遮光層(9)和緩沖層(10)。

8.根據權利要求1-3中任意一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述數據線(2)為金屬引線。

9.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求1-8中任意一項所述的薄膜晶體管。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求9所述的陣列基板。